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オトイソレーター（1738）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLP293-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F （D4-TELS -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP781F （D4-TELSF） ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 0.5100
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP290 AC 、DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP388(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 （D4、E 0.7900
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP388 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP120(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP120 AC 、DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP120 （TPRF） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP121(V4-GR-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121（V4-GR-TPLF ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード TLP131 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP131 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP750(D4-YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP750 - 1 （無制限） 264-TLP750 ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F -
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （GRHF ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 150 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP2409(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2409 DC 1 トランジスタ 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 16ma - 20V 1.57V 25 Ma 3750VRMS 20％ @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP185 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP185(YL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP185 DC 1 ベース付きトランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） tlp185（yl-tplse ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37 -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） 4N37 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip - ROHS準拠 1 （無制限） 4n37 （ショートフ） ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 Ma 2500VRMS 100 @ @ 10ma - 3µs、3µs 300mv
TLP732(D4-GB-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 （D4-GB-LF1、F -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP732 - 1 （無制限） 264-TLP732 （D4-GB-LF1F ear99 8541.49.8000 50
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 -
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 16-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TLP281 DC 4 トランジスタ 16ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2304(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 1.4100
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2304 DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP2304 ear99 8541.49.8000 125 15 Ma 1Mbd - 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 550ns 、400ns
TLP3062A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、ガルウィング TLP3062 cqc 1 トライアック 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000VRMS 600 V 100 Ma 600µA （タイプ） はい 2kv/µs（タイプ） 10ma -
TLP3064(D4TP1S,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3064（D4TP1S 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm ）、 5リード TLP3064 cur、ur 1 トライアック 6-dip （カット）、 5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 1.4V 30 Ma 5000VRMS 600 V 100 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 3MA -
TLP182(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 -
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP182 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ - 1 （無制限） 264-TLP182 （TPRETR ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP626(TA-015,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（TA-015 -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） AC 、DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 264-TLP626 ear99 8541.49.8000 1 50ma 8µs 、8µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP759F(MATDIGMJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F（matdigmj f -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP759 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP759F （MATDIGMJF ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20％ @ 16ma - - -
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332 -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） TLP332 DC 1 トランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 8µs 、8µs 55V 1.15V 50 Ma 5000VRMS 100％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP161G(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G -
RFQ
 ECAD 1572 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP161G ウル 1 トライアック 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 Ma 2500VRMS 400 V 70 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 10ma -
TLP2312(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 1.7100
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2312 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.2V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 8 Ma 5Mbps 2.2ns、1.6ns 1.53V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 250ns 、250ns
TLP785F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F （D4 、F -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （D4F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP718F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F （D4、F） -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP718F （D4F） ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3924 （TP15 4.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-SMD 、フラットリード TLP3924 DC 1 太陽光発電 4ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 4µA - 30V 1.3V 30 Ma 1500VRMS - - - -
TLP2160(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 -
RFQ
 ECAD 4451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2160 DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 10 Ma 20MBD 15ns、15ns 1.55V 25ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 40ns 、40ns
TLP160J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J -
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP160J - 1 （無制限） 264-TLP160J（T7TRUCFTR ear99 8541.49.8000 3,000
TLP719F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F （TP、F） -
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP719 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-sdip - 264-TLP719F （TPF） ear99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20％ @ 16ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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