SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大) ゼロ交差回路 dv/dt(min) 現在 -led トリガー( ift )(最大) 時間をかけてください
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4FUNBLL 、F -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781F (D4FUNBLLF ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781F (BLF) ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-LF7、F -
RFQ
ECAD 7849 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (BL-LF7F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
FOD4218V onsemi FOD4218V 6.1300
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) FOD4218 ul、vde 1 トライアック 6-dip ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 488-FOD4218V ear99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 Ma 5000VRMS 800 V 300 Ma 500µA いいえ 10kv/µs 1.3MA 60µs
MOC256R2M onsemi MOC256R2M 1.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MOC256 AC 、DC 1 ベース付きトランジスタ 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.49.8000 2,500 150ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500VRMS 20% @ 10MA - - 400mv
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLT7、F -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (D4BLT7FTR ear99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4-LF4、E 1.5500
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント TLP5702 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP5702 (D4-LF4E ear99 8541.49.8000 125 - 15ns 、8ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200ns、200ns
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 -
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP371 - 1 (無制限) 264-TLP371 ear99 8541.49.8000 50
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 -
RFQ
ECAD 2810 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP632 - 1 (無制限) 264-TLP632 ear99 8541.49.8000 50
VOT8125AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division Vot8125AB-VT2 0.4355
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-smd(5 リード)、ガルウィング Vot8125 CQC 1 トライアック 6-SMD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 751-VOT8125AB-VT2TR ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 Ma 5000VRMS 800 V 100 Ma 400µA (タイプ) いいえ 1kv/µs 5MA -
VOT8025AB-T1 Vishay Semiconductor Opto Division Vot8025AB-T1 0.4355
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-smd(5 リード)、ガルウィング Vot8025 CQC 1 トライアック 6-SMD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 751-VOT8025AB-T1TR ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 Ma 5300VRMS 800 V 100 Ma 400µA (タイプ) はい 1kv/µs 5MA -
VOT8025AD Vishay Semiconductor Opto Division Vot8025ad 0.4137
RFQ
ECAD 6019 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm )、 5リード Vot8025 CQC 1 トライアック 6-dip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 751-VOT8025AD ear99 8541.49.8000 2,000 1.2V 50 Ma 5300VRMS 800 V 100 Ma 400µA (タイプ) はい 1kv/µs 5MA -
VOT8025AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division Vot8025AB-VT2 0.4600
RFQ
ECAD 4737 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-smd(5 リード)、ガルウィング Vot8025 CQC 1 トライアック 6-SMD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 751-VOT8025AB-VT2TR ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 Ma 5300VRMS 800 V 100 Ma 400µA (タイプ) はい 1kv/µs 5MA -
VOT8125AG Vishay Semiconductor Opto Division Vot8125ag 0.3990
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 穴を通して 6-dip (0.400 "、10.16mm )、 5リード Vot8125 CQC 1 トライアック 6-dip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 751-VOT8125AG ear99 8541.49.8000 2,000 1.2V 50 Ma 5000VRMS 800 V 100 Ma 400µA (タイプ) いいえ 1kv/µs 5MA -
TLP160G(T7-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G -
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP160G - 1 (無制限) 264-TLP160G(T7-TPRUFTR ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 grh-lf6f ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 150 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (HIT-BL-T1、F -
RFQ
ECAD 3100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP531 - 1 (無制限) 264-TLP531 (HIT-BL-T1F ear99 8541.49.8000 50
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP160J - 1 (無制限) 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR ear99 8541.49.8000 3,000
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G -
RFQ
ECAD 9680 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP160G - 1 (無制限) 264-TLP160G(MBS-Truftr ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 (D4GB-F6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP512 - 1 (無制限) 264-TLP512 (NEM-TP1FTR ear99 8541.49.8000 1,500
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP331 - 1 (無制限) 264-TLP331 ear99 8541.49.8000 50
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP531 - 1 (無制限) 264-TLP531 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (HIT-BL-L1、F -
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP532 - 1 (無制限) 264-TLP532 (HIT-BL-L1F ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(GB-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (GB-LF4、M f -
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP734 - 1 (無制限) 264-TLP734F (GB-LF4MF ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4GRH-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-TP5、F -
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP732 - 1 (無制限) 264-TLP732 (D4GRH-TP5F ear99 8541.49.8000 1,500
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n35 -
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 4N35 - 1 (無制限) 264-4N35 ear99 8541.49.8000 50
TLP160G(T5-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G -
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP160 - 1 (無制限) 264-TLP160G(T5-TPRUFTR ear99 8541.49.8000 3,000
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398 e -
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP2398 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 3V〜20V 6-SO、5リード - 1 (無制限) 264-TLP2398 ear99 8541.49.8000 3,000 25 Ma 5Mbps 15ns、12ns 1.5V 20ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 250ns 、250ns
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP250 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 10V〜30V 8-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-tlp250h ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50ns 、50ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 40kv/µs 500NS 、500ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫