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オトイソレーター（ 15749）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO207AT-LB | - |  | 6209 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | VO207AT | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | - | 751-VO207AT-LBTR | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 3µs 、2µs | 70V | 1.3V | 60 Ma | 4000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | 3µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
| ILQ615-4-LB | - | | 1806 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | ILQ615 | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 4 | トランジスタ | 16-dip | - | 751-ILQ615-4-LB | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 2µs 、2µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 5300VRMS | 160 @ 10ma | 320 @ @ 10ma | 3µs 、2.3µs | - | |||||||||||||||||
| SFH6156-1T-LB | - | | 8180 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6156 | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 4-SMD | - | 影響を受けていない | 751-SFH6156-1T-LB | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 2µs 、11µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 3µs、18µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | MOC205R1-M | - | | 3808 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 7.5µs.5.7µs | 400mv | |||||||||||||||
 | 6N135VM | 0.6800 | | 830 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 442 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 230NS 、450ns | - | ||||||||||||||||||
 | FOD2741B | 0.7300 | | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 413 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | CNY17F4SR2VM | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 160 @ 10ma | 320 @ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| 4N30SM | 0.4800 | | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 622 | 150ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 4170VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 5µs 、40µs （最大） | 1V | ||||||||||||||||||
 | FOD8143S | 1.0000 | | 4894 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜105°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | AC 、DC | 1 | トランジスタ | 4-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 4µs、3µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000VRMS | 20％ @ 1MA | 300％ @ 1ma | - | 200mv | ||||||||||||||||||
 | MOCD211M | 0.3800 | | 163 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 785 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 10MA | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FODM8801BV | - | | 1089 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Optohit™ | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 4-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-mini-flat | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 30ma | 5µs 、5.5µs | 75V | 1.35V | 20 ma | 3750VRMS | 130 @ 1MA | 260％ @ 1ma | 6µs、6µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | MOC3021M | 0.2700 | | 200 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | MOC302 | cqc | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,105 | 1.15V | 50 Ma | 5000VRMS | 400 V | 250µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 15ma | - | ||||||||||||||||||
 | FOD2741ATV | 0.7000 | | 720 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 430 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FODM124R2 | - | | 1781 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜110°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 4-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 80ma | 3µs、3µs | 80V | 1.3V （最大） | 50 Ma | 3750VRMS | 100％ @ 1ma | 1200％ @ 1ma | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | CNY17F2VM | 0.2700 | | 9234 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 866 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| CNY17F2TVM | - | | 4526 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| HCPL0501V | 1.0300 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 316 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | ||||||||||||||||||
| MCT61 | 0.3200 | | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 926 | 30ma | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 50％ @ 5ma | - | 2.4µs 、2.4µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | PVI5050NSPBF | 4.3900 | | 36 | 0.00000000 | 国際整流器 | PVI | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、ガルウィング、4つのリード | DC | 1 | 太陽光発電 | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 69 | 5µA | - | 5V | - | 4000VRMS | - | - | 300µs 、220µs （最大） | - | |||||||||||||||||||
| HCPL0601V | 1.2500 | | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 241 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns、12ns | 1.75V （最大） | 50ma | 3750VRMS | 1/0 | 10kv/µs | 75ns、75ns | ||||||||||||||||||
 | MOC256R2M | 0.3600 | | 106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AC 、DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 831 | 150ma | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 10MA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOC211R1VM | - | | 7439 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 10MA | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FOD4216S | 1.0000 | | 8555 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4216 | cul、fimko | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | いいえ | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
| FOD4216SV | - | | 9711 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4216 | cul、fimko | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 40 | 1.28V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | いいえ | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
| HMHA2801CR2 | - | | 1186 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 4-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-mini-flat | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 3µs、3µs | 80V | 1.3V （最大） | 50 Ma | 3750VRMS | 200％ @ 5MA | 400％ @ 5ma | - | 300mv | ||||||||||||||||||
| H11N1TVM | - | | 5895 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4V〜15V | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns、12ns | 1.4V | 30ma | 4170VRMS | 1/0 | - | 330ns、330ns | ||||||||||||||||||
| MOC8204M | 1.0000 | | 7382 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | - | 400V | 1.15V | 80 Ma | 4170VRMS | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOCD223VM | 0.6900 | | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | ダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 471 | 150ma | 8µs 、110µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500VRMS | 500％ @ 1ma | - | 10µs、125µs | 1V | ||||||||||||||||||
 | FOD2741AS | 0.7600 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 397 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| FOD2712AV | - | | 3075 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 2500VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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