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アイソレータ（840）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N38SM | - |  | 3219 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,008 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 4170VRMS | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 1V | |||||||||||||||||||
 | FOD4118SD | - | | 1386 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4118 | csa 、ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 99 | 1.25V | 30 Ma | 5000VRMS | 800 V | 500µA | はい | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | |||||||||||||||||||
 | TIL117VM | 0.3500 | | 6390 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 632 | - | 2µs 、2µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500VPK | 50％ @ 10ma | - | 10µs、10µs （最大） | 400mv | |||||||||||||||||||
 | HCPL0534R2 | 0.9500 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 317 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | |||||||||||||||||||
 | 4n25m | 1.0000 | | 3832 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 20％ @ 10MA | - | 3µs、3µs | 500mv | |||||||||||||||||||
| MOC3063TVM | 1.0000 | | 1017 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | MOC306 | ul、vde | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 500µa（タイプ） | はい | 600V/µs | 5MA | - | |||||||||||||||||||
 | HCPL2530WV | 1.1400 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns 、500ns | - | ||||||||||||||||||
| MOC205M | 0.2300 | | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,326 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 7.5µs.5.7µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FOD4208SD | - | | 8872 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4208 | cul、fimko | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000VRMS | 800 V | 500µA | いいえ | 10kv/µs | 2MA | 60µs | |||||||||||||||||||
 | 4N31SD | - | | 5136 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 150ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 5300VRMS | 50％ @ 10ma | - | 5µs 、40µs （最大） | 1.2V | ||||||||||||||||||
| CNY17F2TVM | - | | 4526 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| H11A1VM | 1.0000 | | 5228 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170VRMS | 50％ @ 10ma | - | 2µs 、2µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| MOCD223VM | 0.6900 | | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | ダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 471 | 150ma | 8µs 、110µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500VRMS | 500％ @ 1ma | - | 10µs、125µs | 1V | |||||||||||||||||||
 | 6N137M | - | | 5041 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 影響を受けていない | 2156-6N137M-600039 | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11N1TVM | - | | 5895 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4V〜15V | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns、12ns | 1.4V | 30ma | 4170VRMS | 1/0 | - | 330ns、330ns | |||||||||||||||||||
| 4N36_NL | 0.0900 | | 6490 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.49.8000 | 32 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 10µs、9µs | 300mv | ||||||||||||||||
| H11A3 | 0.0900 | | 3666 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 25 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 20％ @ 10MA | - | 3µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| FOD410SDV | 1.0000 | | 2888 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD410 | csa | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | はい | 10kv/µs | 2MA | 60µs | |||||||||||||||||||
| MOC3061SM | - | | 1569 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | MOC306 | ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 500µa（タイプ） | はい | 600V/µs | 15ma | - | |||||||||||||||||||
| MOC3021FM | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | - | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | MOC302 | - | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 60 Ma | 7500VPK | 400 V | 100µA （タイプ） | いいえ | - | 15ma | - | ||||||||||||||||||
 | HCPL2530SM | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 2 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 266 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | |||||||||||||||||||
| H11AA4300 | 0.3700 | | 116 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | AC 、DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.2V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| H11A2 | 0.0900 | | 9897 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 54 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 20％ @ 10MA | - | 3µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HCPL2611V | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4.5v〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns、12ns | 1.4V | 50ma | 2500VRMS | 1/0 | 10kv/µs | 75ns、75ns | ||||||||||||||||||
| 4N38VM | 1.0000 | | 8050 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 4170VRMS | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 1V | |||||||||||||||||||
| FOD2743CS | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | - | 70V | 1.07V | 5000VRMS | 50％ @ 1ma | 100％ @ 1ma | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FODM3051R2 | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 15ma | - | |||||||||||||||||
 | MOC211VM | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,398 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 10MA | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||
| FODM3062 | 0.7600 | | 6597 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | cul、ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 21 | 1.5V （最大） | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | はい | 600V/µs | 10ma | - | |||||||||||||||||
 | H11A617C300 | - | | 2818 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 4-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 2.4µs 、2.4µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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15,000 m2
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