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アイソレータ（840）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM3053 | 1.0000 |  | 3149 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 5MA | - | ||||||||||||||||
 | FOD4116S | 2.4800 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4116 | csa 、ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 122 | 1.25V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | はい | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
 | MOC3082M | 1.0000 | | 3226 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | MOC308 | ul | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | 800 V | 500µa（タイプ） | はい | 600V/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||||
 | FOD817C300 | - | | 7794 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜110°C | 穴を通して | 4-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50ma | 4µs、3µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000VRMS | 200％ @ 5MA | 400％ @ 5ma | - | 200mv | ||||||||||||||||||
| MOC8107300 | 0.1900 | | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.15V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | 300％ @ 10MA | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | HCPL3700S | 2.6600 | | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | AC 、DC | 1 | ダーリントン | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 113 | 30ma | 45µs 、0.5µs | 20V | - | 2500VRMS | - | - | 6µs 、25µs | - | |||||||||||||||||||
| 6N135S | 1.0000 | | 3448 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns 、500ns | - | |||||||||||||||||
| 4N38TVM | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,311 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 4170VRMS | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 1V | ||||||||||||||||||
 | FODM3010R3V | 0.3000 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 15ma | - | ||||||||||||||||
| CNY172SR2VM | 0.2300 | | 6404 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | CNY172 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||
| FODM3010 | 0.2700 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 15ma | - | ||||||||||||||||
 | FOD4116SD | 2.2800 | | 335 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4116 | csa 、ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 132 | 1.25V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | はい | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
| MOC3062SM | 1.0000 | | 1614 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | MOC306 | ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 500µa（タイプ） | はい | 600V/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||||
| HMAA2705R2 | - | | 1618 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | AC 、DC | 1 | トランジスタ | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 80ma | 3µs、3µs | 40V | 1.3V （最大） | 50 Ma | 3750VRMS | 50％ @ 5ma | 300％ @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||
 | FOD073LR2 | 1.4900 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | ダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 219 | 60ma | - | 7V | 1.35V | 20 ma | 2500VRMS | 400％ @ 500µA | 7000％ @ 500µA | 5µs 、25µs | - | ||||||||||||||||||
 | FOD2200 | 1.8700 | | 357 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トライステート | 4.5V〜20V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 25 Ma | 2.5Mbd | 80ns 、25ns | 1.4V | 10ma | 5000VRMS | 1/0 | 10kv/µs | 300ns、300ns | |||||||||||||||||
| HCPL2531SVM | 1.2600 | | 973 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 2 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 238 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 250ns 、260ns | - | ||||||||||||||||||
| H11D2VM | 0.3700 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 7500VPK | 20％ @ 10MA | - | 5µs 、5µs | 400mv | |||||||||||||||||
| FOD2741ASV | - | | 8452 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | H11A4S | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 Ma | 5300VRMS | 10 @ @ 10ma | - | 2µs 、2µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | FODM1008R2 | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜110°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | トランジスタ | 4ソップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,656 | 50ma | 5.7µs.8.5µs | 70V | 1.4V | 50 Ma | 5000VRMS | 130 @ @ 5ma | 260 @ @ 5ma | - | 300mv | ||||||||||||||||||
| 4N33300W | - | | 5265 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 5300VRMS | 500％ @ 10MA | - | 5µs 、100µs （最大） | 1V | |||||||||||||||||
| H11AA2 | 0.2700 | | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | AC 、DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 10µs、10µs （最大） | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 10 @ @ 10ma | - | 10µs、10µs （最大） | 400mv | |||||||||||||||||
| CNY17F4W | 0.1100 | | 5736 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 160 @ 10ma | 320 @ @ 10ma | 2µs、3µs | 300mv | |||||||||||||||||
| HCPL0700V | 1.0700 | | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 282 | 60ma | - | 7V | 1.25V | 20 ma | 2500VRMS | 300％ @ 1.6ma | 2600％ @ 1.6ma | 1µs 、7µs | - | ||||||||||||||||||
| CNY173W | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | 2µs、3µs | 300mv | |||||||||||||||||
| FOD2742AR1V | - | | 1243 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 10 | 50ma | - | 70V | 1.2V | 2500VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| SL5583W | 0.1900 | | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 50V | 1.2V | 100 Ma | 5300VRMS | 40％ @ 10ma | 320 @ @ 10ma | 20µs、50µs （最大） | 400mv | |||||||||||||||||
| 4n28m | 0.1800 | | 9622 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 10 @ @ 10ma | - | 3µs、3µs | 500mv | ||||||||||||||||||
| CNY17F1 | 0.2000 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 2µs、3µs | 300mv |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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15,000 m2
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