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アイソレータ（840）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CNY17F2300W | - |  | 3563 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.35V | 100 Ma | 5300VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | 4N26SM | 0.2300 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,291 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170VRMS | 20％ @ 10MA | - | 2µs 、2µs | 500mv | ||||||||||||||||||
 | FODM3011R1 | 0.3000 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 250 v | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 10ma | - | ||||||||||||||||
| 4n30m | 0.2100 | | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,438 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 5µs 、40µs （最大） | 1V | ||||||||||||||||||
 | H11F3SVM | 1.2900 | | 998 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | H11f | DC | 1 | モスフェット | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 232 | - | - | 15V | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | - | - | 45µs、45µs （最大） | - | |||||||||||||||||
 | MOCD207M | - | | 9231 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| FODM3023R3V | 0.5000 | | 2013年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 432 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 400 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 5MA | - | ||||||||||||||||
 | MOC8105300 | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 30V | 1.15V | 100 Ma | 5300VRMS | 65％ @ 10MA | 133 @ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | FOD2741BT | 1.0000 | | 8970 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 5000VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FOD852300W | - | | 8528 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -30°C〜100°C | 穴を通して | 4-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ダーリントン | 4-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150ma | 100µs 、20µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 5000VRMS | 1000％ @ 1MA | 15000 @ 1MA | - | 1.2V | ||||||||||||||||||
 | MOC217R2VM | 0.2500 | | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,319 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FOD0720 | 1.7400 | | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 論理 | 1 | プッシュプル、トーテムポール | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 173 | 10 Ma | 25Mbps | 5ns 、4.5ns | - | - | 3750VRMS | 1/0 | 20kv/µs | 40ns 、40ns | ||||||||||||||||||
| FOD3180ASD | 1.3300 | | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.49.8000 | 226 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3042M | 0.3500 | | 145 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | MOC304 | ul | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 868 | 1.25V | 60 Ma | 4170VRMS | 400 V | 400µA （タイプ） | はい | 1kv/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||||
| H11F1TVM | 2.4900 | | 303 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | H11f | DC | 1 | モスフェット | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 121 | - | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | - | - | 45µs、45µs （最大） | - | |||||||||||||||||
| FOD4116SDV | - | | 2461 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4116 | csa | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | はい | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
| HCPL0730 | 1.9300 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 2 | ダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 60ma | - | 7V | 1.35V | 20 ma | 2500VRMS | 300％ @ 1.6ma | 5000％ @ 1.6ma | 2µs 、7µs | - | |||||||||||||||||
| FODM3051R1V | 0.4700 | | 8625 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 455 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 15ma | - | ||||||||||||||||
 | 6N139SVM | 0.7100 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 461 | 60ma | - | 18V | 1.3V | 20 ma | 5000VRMS | 500％ @ 1.6ma | - | 240ns 、1.3µs | - | ||||||||||||||||||
| H11A5M | 0.2200 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜110°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000VRMS | 30％ @ 10MA | - | 3µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
| H11L3SR2VM | - | | 2956 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | オープンコレクター | 3V〜15V | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 1MHz | 100NS 、100NS | 1.2V | 30ma | 4170VRMS | 1/0 | - | 4µs 、4µs | ||||||||||||||||||
| CNY17F3VM | 0.2000 | | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,496 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 100 @ @ 10ma | 200％ @ 10MA | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| HCPL0701R2 | 1.1700 | | 305 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 305 | 60ma | - | 18V | 1.25V | 20 ma | 2500VRMS | 500％ @ 1.6ma | 2600％ @ 1.6ma | 300NS、1.6µs | - | ||||||||||||||||||
 | FODM452V | 0.8100 | | 7969 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード | DC | 1 | トランジスタ | 5-mini-flat | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - | 20V | 1.6V | 25 Ma | 3750VRMS | 20％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 400NS、350ns | - | ||||||||||||||||||
| MOC216M | 0.2600 | | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,157 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500VRMS | 50％ @ 1ma | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| 4N37SR2VM | 1.0000 | | 6936 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 2µs 、2µs | 300mv | ||||||||||||||||||
| 6N139V | 0.7300 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60ma | - | 18V | 1.3V | 20 ma | 2500VRMS | 500％ @ 1.6ma | - | 1.5µs 、7µs | - | |||||||||||||||||
| HCPL4502V | 0.7500 | | 773 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | |||||||||||||||||
| HCPL0500R2 | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 306 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 7％ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns 、500ns | - | ||||||||||||||||||
 | MOC205 | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -45°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150ma | 1.6µs 、2.2µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 3000VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 3µs 、2.8µs | 400mv |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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