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アイソレータ（840）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 承認機関 | チャネルの数 | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | データレート | 立ち上がり /上下時間（タイプ） | 電圧 -出力（最大） | 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） | 現在-dc フォワード（ if ）（ max） | 電圧 -分離 | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 現在 - | 入力-1/サイド2 | 一般的なモード過渡免疫（最小） | 伝播遅延tplh / tphl （最大） | 現在の転送比（最小） | 現在の転送比（最大） | オン /ターンオフ時間（タイプ） | vce 飽和（最大） | ゼロ交差回路 | dv/dt（min） | 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） | 時間をかけます |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HCPL0452 | 0.9000 |  | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | トランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | |||||||||||||||||
 | FOD4218V | 1.0000 | | 4924 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | FOD4218 | ul、vde | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000VRMS | 800 V | 300 Ma | 500µA | いいえ | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | |||||||||||||||||
 | 6N139VM | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベースのあるダーリントン | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 440 | 60ma | - | 18V | 1.3V | 20 ma | 5000VRMS | 500％ @ 1.6ma | - | 240ns 、1.3µs | - | ||||||||||||||||||
| MOC213R2VM | 0.2500 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 150ma | 3.2µs 、4.7µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 7.5µs.5.7µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | H11AA4VM | - | | 6597 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | AC 、DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 4170VRMS | 100 @ @ 10ma | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOC215-M | 0.2200 | | 1995年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.49.8000 | 1,257 | 150ma | 3µs、3µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500VRMS | 20％ @ 1MA | - | 4µs 、4µs | 400mv | |||||||||||||||
| MOC3051TVM | - | | 8583 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | MOC305 | ウルvde | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 220µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 15ma | - | ||||||||||||||||||
| MOC8103300 | 0.1000 | | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 30V | 1.15V | 100 Ma | 5300VRMS | 108 @ @ 10ma | 173 @ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
| FODM3082 | - | | 2073 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | cul、ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 21 | 1.5V （最大） | 60 Ma | 3750VRMS | 800 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | はい | 600V/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||
 | FOD8143S | 1.0000 | | 4894 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜105°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | AC 、DC | 1 | トランジスタ | 4-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | 4µs、3µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000VRMS | 20％ @ 1MA | 300％ @ 1ma | - | 200mv | ||||||||||||||||||
| MOC3042TVM | 0.6600 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.400 "、10.16mm） | MOC304 | IEC/en/din ul | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 496 | 1.25V | 60 Ma | 4170VRMS | 400 V | 400µA （タイプ） | はい | 1kv/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||||
| MOC8106300 | 0.0900 | | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | 1µs 、2µs | 70V | 1.15V | 100 Ma | 5300VRMS | 50％ @ 10ma | 150 @ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
| MOC3041VM | - | | 9812 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | MOC304 | IEC/en/din ul | 1 | トライアック | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.25V | 60 Ma | 4170VRMS | 400 V | 400µA （タイプ） | はい | 1kv/µs | 15ma | - | ||||||||||||||||||
 | FODM3053R1 | 1.0000 | | 8434 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 5MA | - | ||||||||||||||||
| CNY17F1VM | 0.2000 | | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1,508 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | 2µs、3µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| CNX36U | - | | 8238 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 30V | 1.15V | 100 Ma | 5300VRMS | 80％ @ 10MA | 200％ @ 10MA | 20µs 、20µs | 400mv | |||||||||||||||||
| CNY17F2M | - | | 5890 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | CNY17F | DC | 1 | トランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 572 | 50ma | 4µs 、3.5µs （最大） | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170VRMS | 63％ @ 10ma | 125％ @ 10ma | 2µs、3µs | 400mv | |||||||||||||||||
| HCPL0601R1 | - | | 1502 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | DC | 1 | オープンコレクター | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 199 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns、12ns | 1.75V （最大） | 50ma | 3750VRMS | 1/0 | 10kv/µs | 75ns、75ns | |||||||||||||||||
| 4N363SD | 0.1000 | | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 2µs 、2µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | MOC3063SR2VM | 1.0000 | | 4228 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | MOC306 | IEC/en/din ul | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170VRMS | 600 V | 500µa（タイプ） | はい | 600V/µs | 5MA | - | ||||||||||||||||||
| 4N37SD | 0.1000 | | 113 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 Ma | 5300VRMS | 100 @ @ 10ma | - | 2µs 、2µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | FOD617A | 0.0700 | | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜110°C | 穴を通して | 4-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 4µs、3µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000VRMS | 40％ @ 10ma | 80％ @ 10MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | 6N136M | 1.0000 | | 9793 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | 6N136 | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 350ns、300ns | - | |||||||||||||||||
| FOD617D300 | - | | 5862 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜110°C | 穴を通して | 4-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 380 | 50ma | 4µs、3µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000VRMS | 160 @ 10ma | 320 @ @ 10ma | - | 400mv | |||||||||||||||||
| FODM3021R4 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi、csa ul | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 400 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 10V/µs（タイプ） | 15ma | - | ||||||||||||||||
| FODM3052R3V | 0.5100 | | 8734 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜100°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | FODM30 | bsi | 1 | トライアック | 4-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2 | 1.2V | 60 Ma | 3750VRMS | 600 V | 70 Ma | 300µA（タイプ） | いいえ | 1kv/µs | 10ma | - | ||||||||||||||||
 | FOD4216S | 1.0000 | | 8555 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 表面マウント | 6-SMD 、カモメの翼 | FOD4216 | cul、fimko | 1 | トライアック | 6-SMD | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000VRMS | 600 V | 500µA | いいえ | 10kv/µs | 1.3MA | 60µs | ||||||||||||||||||
 | HCPL2531WV | 1.1000 | | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜100°C | 穴を通して | 8-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 2 | トランジスタ | 8ディップ | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 273 | 8ma | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500VRMS | 19 @ @ 16ma | 50％ @ 16ma | 450ns、300ns | - | ||||||||||||||||||
| H11ag2 | 0.1800 | | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 6-dip （0.300 "、7.62mm） | DC | 1 | ベース付きトランジスタ | 6-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50ma | - | 30V | 1.5V （最大） | 50 Ma | 5300VRMS | 50％ @ 1ma | - | 5µs 、5µs | 400mv | |||||||||||||||||
| H11A817BW | 0.0600 | | 16 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴を通して | 4-dip （0.400 "、10.16mm） | DC | 1 | トランジスタ | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 2.4µs 、2.4µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300VRMS | 130 @ @ 5ma | 260 @ @ 5ma | - | 200mv |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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