SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) パルス幅の歪み(最大) 電圧 -出力供給 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大) ゼロ交差回路 dv/dt(min) 現在 -led トリガー( ift )(最大) 時間をかけます
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP183 gbe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(4lgbtre 1.7900
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 500µA 600% @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP759 DC 1 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 適用できない TLP759 ear99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20% @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 -
RFQ
ECAD 7485 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) DC 1 トランジスタ 6スディップカモメの翼 - 264-TLP719 ear99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20% @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 -
RFQ
ECAD 6910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP551 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ - ROHS準拠 適用できない TLP551 ear99 8541.49.8000 125 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 10 @ 16ma - 300NS、1µs -
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 -
RFQ
ECAD 4048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 16-dip (0.300 "、7.62mm) TLP620 AC 、DC 4 トランジスタ 16-dip ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 25 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 50 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6300
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 500µA 600% @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 -
RFQ
ECAD 1862年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP137 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP137 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 200% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
RFQ
ECAD 2305 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP126 AC 、DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6N136F -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) 6N136 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 19 @ @ 16ma - 200ns 、500ns -
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) TLP631 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP292(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(e 0.5600
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 175 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP700A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A -
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP700 光カップリング cur、ur 1 6-sdip ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 100 2a 、2a 2.5a 15ns 、8ns 1.55V 20 ma 5000VRMS 20kv/µs 200ns、200ns 50ns 15V〜30V
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 -
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP137 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP137 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 (無制限) 264-TLP127 ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4TP4、E 1.9900
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLX9185 DC 1 トランジスタ 6ソップ - 264-TLX9185 ear99 8541.49.8000 1 50ma 3µs 、5µs 80V 1.27V 30 Ma 3750VRMS 20 @ @ 5ma 600% @ 5ma 5µs 、5µs 400mv
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP161J ウル 1 トライアック 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 Ma 2500VRMS 600 V 70 Ma 600µA (タイプ) はい 200V/µs 10ma -
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP151A(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP151 光カップリング cul、ul 1 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 400MA 、400mA 600MA 50ns 、50ns 1.55V 25 Ma 3750VRMS 20kv/µs 500NS 、500ns 350ns 10V〜30V
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP550 DC 1 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 10 @ 16ma - 300NS、1µs -
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.7900
RFQ
ECAD 1944年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP183 yhe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 75% @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 0.4841
RFQ
ECAD 1284 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP2366 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 20MBD 15ns、15ns 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 40ns 、40ns
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 1.6300
RFQ
ECAD 280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP290 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.2V 50 Ma 2500VRMS 100 @ @ 5ma 400% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 -
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP2531 DC 2 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 19 @ @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 3089 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP785 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 (BLL-TP6FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (HNE-TL 、F) -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9104 ear99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫