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アイソレータ（ 2050）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309 1.2600
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2309 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 8ma - 20V 1.55V 25 Ma 3750VRMS 15 @ 16ma - 1µs、1µs （最大） -
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（D4COS-TP5 -
RFQ
 ECAD 2015年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP750 （D4COS-TP5F ear99 8541.49.8000 1 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 10 @ 16ma - 200ns、1µs -
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（V4-GB e 1.7900
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP627MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF（e 0.9000
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP627MF e ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 -
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP120 AC 、DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP120 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 -
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード TLP130 AC 、DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP627-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 -
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP627 - 1 （無制限） 264-TLP627-2 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 -
RFQ
 ECAD 1145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP632 - 1 （無制限） 264-TLP632 ear99 8541.49.8000 50
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 0.5500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP182 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） tlp182（ye ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2531 DC 2 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 19 @ @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 -
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP124 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP351(TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP351 - 1 （無制限） 264-TLP351 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J e 0.8200
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP265 cqc 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 1ma（タイプ） いいえ 500V/µs 10ma 20µs
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188（gb、e 0.8300
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP188 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9300
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP551 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ - ROHS準拠 適用できない TLP551 ear99 8541.49.8000 125 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 10 @ 16ma - 300NS、1µs -
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5500
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP385 （BLE ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785 YHF ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 75％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627 -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP627 DC 1 ダーリントン 4-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP183 gbe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6300
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 500µA 600％ @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP183 ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP785 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J -
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP168 ウル 1 トライアック 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 1.4V 20 ma 2500VRMS 600 V 70 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 3MA -
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.6200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード ROHS準拠 適用できない TLP785 （D4-Grf ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 6N137 DC 1 オープンコレクター 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 1/0 200V/µs 、500V/µs（タイプ） 75ns、75ns
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2745 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜30V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 50 Ma - 3ns、3ns 1.55V 15ma 5000VRMS 1/0 30kv/µs 120ns、120ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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196-LFBGA露出パッド

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