SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) パルス幅の歪み(最大) 電圧 -出力供給 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大)
TLP781F(D4SANGBT7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4SANGBT7F -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781F (D4SANGBT7FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP550(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP550 - 1 (無制限) 264-TLP550 ear99 8541.49.8000 50
TLP733F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-GR 、M、F) -
RFQ
ECAD 8922 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP733 - 1 (無制限) 264-TLP733F (D4-GRMF) ear99 8541.49.8000 50
TLP9114B(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9114B ear99 8541.49.8000 1
TLP631(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ&リール( tr) 廃止 TLP631 - 1 (無制限) 264-TLP631 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 (D4-GB-LF6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785(D4-GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 4785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 d4-grlf ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4B-T7 f -
RFQ
ECAD 2374 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (D4B-T7FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP627M(D4-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9200
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD (0.300 "、7.62mm) TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M 0.9100
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP628 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 100 50ma 5.5µs 、10µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 10µs 、10µs 400mv
TLP627MF(D4-F4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4-F4 e 0.9200
RFQ
ECAD 7685 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP627 DC 1 ダーリントン 4-dip ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP781(TELS-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 2071 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP781F(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(grl -
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-tlp781f(grlf) ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 200% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP250(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 -
RFQ
ECAD 9971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -20°C〜85°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP250 光カップリング ウル 1 8ディップ - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 500MA 、500mA 1.5a - 1.6V 20 ma 2500VRMS 5kv/µs 500NS 、500ns - 15V〜30V
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 0.5100
RFQ
ECAD 1851年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP293 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP624-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 -
RFQ
ECAD 6546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP624 - 1 (無制限) 264-TLP624-2 ear99 8541.49.8000 50
TLP291(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6000
RFQ
ECAD 8905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) TLP291(grse ear99 8541.49.8000 175 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 150 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP3906(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp3906 1.9500
RFQ
ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP3906 DC 1 太陽光発電 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 12µA - 7V 1.65V 30 Ma 3750VRMS - - 200μs300µs -
TLP9114B(BYD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B -
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9114B ear99 8541.49.8000 1
TLP627M(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9200
RFQ
ECAD 6486 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP627 DC 1 ダーリントン 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP627M d4e ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP373(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP373 -
RFQ
ECAD 5292 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP373 - 1 (無制限) 264-TLP373 ear99 8541.49.8000 50
TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A (LF4、e 1.6400
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 125 10 Ma 20MBD 5ns 、4ns 1.8V (最大) 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 55ns 、55ns
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP137 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 150 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26(短lf5 -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD 、カモメの翼 4N26 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-SMD ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 4n26(短lf5f) ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs 、2µs 30V 1.15V 80 Ma 2500VRMS 20% @ 10MA - - 500mv
TLP185(GRL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
ECAD 5327 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP185 DC 1 ベース付きトランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP185(grlse ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 200% @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 -
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 16-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) TLP281 DC 4 トランジスタ 16ソップ ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2601(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601 -
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP2601 DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 4.5v〜5.5V 8-SMD ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 25 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 1/0 1kv/µs 75ns、75ns
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP185 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs、9µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 400% @ 5ma 9µs、9µs 300mv
TLP388(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4-GB e 0.7900
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP388 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 150 @ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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