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アイソレータ（ 2050）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLP715F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp715f -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP715 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6-sdip ダウンロード 264-TLP715F （TPF） ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30NS、30ns 1.6V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP352F(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F （D4、S -
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP352 - 1 （無制限） 264-TLP352F （D4S） ear99 8541.49.8000 50
TLP331(BV-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 -
RFQ
 ECAD 6286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP331 - 1 （無制限） 264-TLP331 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP109(IGM,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 1.9900
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP109 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 8ma - 20V 1.64V 20 ma 3750VRMS 25％ @ 10MA 75％ @ 10MA 450ns 、450ns -
TLP2468(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2468 DC 1 オープンコレクター 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.57V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 60ns、60ns
TLP555(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP555 -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP555 DC 1 トライステート 4.5V〜20V 8ディップ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 40 Ma 5Mbps 35ns、20ns 1.55V 10ma 2500VRMS 1/0 1kv/µs 400NS 、400ns
TLP751(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP751 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ - ROHS準拠 適用できない TLP751（D4-TP1F ear99 8541.49.8000 1,500 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 10 @ 16ma - 200ns、1µs -
TLP718(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718 -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP718 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP718 ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30NS、30ns 1.6V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP109(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 1.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP109 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.64V 20 ma 3750VRMS 20％ @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.8100
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP3905(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 1.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP3905 DC 1 太陽光発電 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 30µA（タイプ） - 7V 1.65V 30 Ma 3750VRMS - - 300µs、1ms -
TLP293-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6400
RFQ
 ECAD 1036 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP716F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F （TP、F） -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5v〜5.5V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP716F （TPF） ear99 8541.49.8000 1 10 Ma 15Mbd 15ns、15ns 1.65V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 75ns、75ns
TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP759 DC 1 トランジスタ 8-SMD ダウンロード ROHS準拠 適用できない TLP759 ear99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20％ @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 -
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 4µs 、7µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 400％ @ 5ma 7µs 、7µs 300mv
TLP2761(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 1.1800
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2761 AC 、DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 10 Ma 15Mbd 3ns、3ns 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns、80ns
TLP385(GR-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5500
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP118(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 e 2.0200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP118 DC 1 オープンコレクター 4.5v〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 25 Ma - 30NS、30ns - 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 60ns、60ns
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 （D4-GB e 0.5400
RFQ
 ECAD 9333 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP385 （D4-gbe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP184 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP184(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP184 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs、9µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 400％ @ 5ma 9µs、9µs 300mv
TLP250H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP250 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 10V〜30V 8-SMD ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.49.8000 1,500 2.5 a - 50ns 、50ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 40kv/µs 500NS 、500ns
TLP785(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785 （D4-Bllf ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 400％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2408(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2408 -
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2408 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP2408F ear99 8541.49.8000 100 25 Ma 5Mbps 30NS、30ns 1.57V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 250ns 、250ns
TLP383(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 （GR-TPL、e 0.6000
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP383 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP293-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（V4-la e 1.6300
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 500µA 600％ @ 500µA 3µs、3µs 300mv
TLP2631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2631 DC 2 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 16 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 2/0 1kv/µs 75ns、75ns
TLP360JF(D4-MUR) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360JF （D4-Mur） -
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP360 CQC 1 トライアック 4-dip - 264-TLP360JF （D4-Mur） ear99 8541.49.8000 1 1.15V 25 Ma 5000VRMS 600 V 100 Ma 1ma いいえ 500V/µs 10ma 100µs
TLP183(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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196-LFBGA露出パッド

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