SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) パルス幅の歪み(最大) 電圧 -出力供給 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大) ゼロ交差回路 dv/dt(min) 現在 -led トリガー( ift )(最大) 時間をかけます
TLP531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 -
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP531 - 1 (無制限) 264-TLP531 ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-BL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 4649 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781(D4-BL-TP6FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP705A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705A -
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP705 光カップリング csa 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP705A ear99 8541.49.8000 1 400MA 、400mA 600MA 35ns、15ns 1.57V 25 Ma 5000VRMS 20kv/µs 200ns、200ns 50ns 10V〜30V
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) TLP631 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP731(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP731 - 1 (無制限) 264-TLP731 ear99 8541.49.8000 50
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 -
RFQ
ECAD 7043 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) TLP512 DC 1 トランジスタ 6-dip - ROHS準拠 1 (無制限) TLP512F ear99 8541.49.8000 50 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 15 @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP185(YL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP185 DC 1 ベース付きトランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) tlp185(yl-tplse ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP126(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 -
RFQ
ECAD 6421 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP126 AC 、DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 150 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP5772(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 e 2.3800
RFQ
ECAD 9395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP5772 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 10V〜30V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 125 - 15ns 、8ns 1.65V 8ma 5000VRMS 1/0 35kv/µs 150ns、150ns
TLP291(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6000
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP163J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP163J -
RFQ
ECAD 5514 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP163 ウル 1 トライアック 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 5A991 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 Ma 2500VRMS 600 V 70 Ma 600µA (タイプ) はい 200V/µs 10ma 30µs
TLP2168(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168 -
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TLP2168 DC 2 オープンコレクター 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,500 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.57V 25ma 2500VRMS 2/0 15kv/µs 60ns、60ns
TLP2160(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 -
RFQ
ECAD 3836 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TLP2160 DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP2160F ear99 8541.49.8000 100 10 Ma 20MBD 15ns、15ns 1.55V 25ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 40ns 、40ns
TLP109(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP109 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.64V 20 ma 3750VRMS 20% @ 16ma - 800ns 、800ns -
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.7900
RFQ
ECAD 5371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 500µA 600% @ 500µA 3µs、3µs 300mv
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37 -
RFQ
ECAD 1571 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) 4N37 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip - ROHS準拠 1 (無制限) 4n37 (ショートフ) ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 Ma 2500VRMS 100 @ @ 10ma - 3µs、3µs 300mv
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 -
RFQ
ECAD 7460 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP131 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP131 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP751(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP751 DC 1 ベース付きトランジスタ 8-SMD - ROHS準拠 適用できない TLP751 ear99 8541.49.8000 1,500 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 10 @ 16ma - 200ns、1µs -
TLP751(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP751 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ - ROHS準拠 適用できない TLP751(D4-O-LF2F ear99 8541.49.8000 1,500 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 10 @ 16ma - 200ns、1µs -
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.7900
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP131(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 -
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP131 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP131 ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP3032(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3032 -
RFQ
ECAD 4051 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm )、 5リード TLP3032 semko 、ur 1 トライアック 6-dip (カット)、 5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP3032 ear99 8541.49.8000 50 - 5000VRMS 250 v 100 Ma - はい - 10ma -
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385 0.5500
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) tlp385 yhe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 75% @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP266J(T7-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J 0.9000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TLP テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP266 cul、ul 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 600µA (タイプ) はい 200V/µs 10ma 30µs
TLP291(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6000
RFQ
ECAD 1495 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP759(D4-LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 2.6400
RFQ
ECAD 105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP759 DC 1 トランジスタ 8-SMD ダウンロード ROHS準拠 適用できない TLP759 ear99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20% @ 16ma - 200ns、300ns -
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP124 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP124 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs 、8µs 80V 1.15V 3750VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26(短lf5 -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD 、カモメの翼 4N26 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-SMD ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 4n26(短lf5f) ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs 、2µs 30V 1.15V 80 Ma 2500VRMS 20% @ 10MA - - 500mv
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 e 1.9500
RFQ
ECAD 99 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP3906 DC 1 太陽光発電 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 125 30µA(タイプ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750VRMS - - 200μs300µs -
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
RFQ
ECAD 9795 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP183(grhe ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 150 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫