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アイソレータ（ 2050）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） パルス幅の歪み（最大） 電圧 -出力供給 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大）
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 （D4-GR-LF2、F -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） TLP732 DC 1 トランジスタ 6-dip - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 4000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP550(HIT-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP550 - 1 （無制限） 264-TLP550 （ヒット） ear99 8541.49.8000 50
TLP2200F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200F -
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2200 DC 1 トライステート 4.5V〜20V 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP2200 ear99 8541.49.8000 50 25 Ma 2.5Mbd 35ns、20ns 1.55V 10ma 2500VRMS 1/0 1kv/µs 400NS 、400ns
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 0.5100
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP184 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP385(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 400％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP632(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 -
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） TLP632 DC 1 トランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2160(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 -
RFQ
 ECAD 4451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2160 DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 10 Ma 20MBD 15ns、15ns 1.55V 25ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 40ns 、40ns
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309 1.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2309 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.55V 25 Ma 3750VRMS 15 @ 16ma - 1µs、1µs （最大） -
TLP2631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2631 DC 2 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 16 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 2/0 1kv/µs 75ns、75ns
TLP185(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP185 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TLP185 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs、9µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 400％ @ 5ma 9µs、9µs 300mv
TLP2367(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 2.5600
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2367 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 50Mbd 2ns、1ns 1.6V 15ma 3750VRMS 1/0 25kv/µs 20ns、20ns
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955f -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2955 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 3V〜20V 8ディップ ダウンロード 264-TLP2955F ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 16ns、14ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250ns 、250ns
TLP5771(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 2.3100
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5771 光カップリング cqc 1 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 1a、1a 1a 15ns 、8ns 1.65V 8 Ma 5000VRMS 35kv/µs 150ns、150ns 50ns 10V〜30V
4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm） 4N26 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs 、200µs 30V 1.15V 80 Ma 2500VRMS 20％ @ 10MA - - 500mv
TLP104(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104（TPL、E 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP104 DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 8 Ma 1Mbps - 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 550ns 、400ns
TLP559(IGM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559 -
RFQ
 ECAD 1752 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP559 DC 1 トランジスタ 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 25％ @ 10MA 75％ @ 10MA 450ns 、450ns -
TLP523-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2 -
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP523 - 1 （無制限） 264-TLP523-2 ear99 8541.49.8000 50
TLP2704(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2704 DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 15 Ma - - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 400NS 、550ns
TLP121(V4-GB-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121（V4-GB-TPLF ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP291(V4GRTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6000
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 0.5100
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP290 AC 、DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A 1.3800
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2768 DC 1 オープンコレクター 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP190B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 前回購入します -40°C〜85°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP190 DC 1 太陽光発電 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 150 12µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500VRMS - - 200μs1ms -
TLP2312(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 1.7100
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2312 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.2V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 8 Ma 5Mbps 2.2ns、1.6ns 1.53V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 250ns 、250ns
TLP292-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 1.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP292 AC 、DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP127(OME-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 （無制限） 264-TLP127 ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000％ @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP385(D4GH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP121(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
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196-LFBGA露出パッド

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