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アイソレータ（ 2050）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -出力 /チャネル データレート 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） パルス幅の歪み（最大） 電圧 -出力供給 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大）
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2303 DC 1 トランジスタ 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 80ma - 18V - 20 ma 3750VRMS 500％ @ 5ma - - -
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp388 0.7900
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP388 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 1.6000
RFQ
 ECAD 4090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP293 DC 4 トランジスタ 16-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP700A(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP700 - 1 （無制限） 264-TLP700A ear99 8541.49.8000 100
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 -
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP751 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ - ROHS準拠 適用できない TLP751 ear99 8541.49.8000 50 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 5000VRMS 10 @ 16ma - 200ns、1µs -
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785 YHF ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 75％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP350(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp350 -
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP350 - 1 （無制限） 264-TLP350 ZF） ear99 8541.49.8000 50
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 （無制限） 264-TLP127 ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000％ @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP785 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785 （BLL-TP6FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 400％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2531 DC 2 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP2531（ QCPL4532F ear99 8541.49.8000 1 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 19 @ @ 16ma 30％ @ 16ma 200ns、300ns -
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F （D4-GR f -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （D4-GRF ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP715 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP715 ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30NS、30ns 1.6V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M 0.9200
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SMD （0.300 "、7.62mm） TLP628 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 5.5µs 、10µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 10µs 、10µs 400mv
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F （D4Y-F7 、F -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （D4Y-F7F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP759(D4MBIMT1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP759 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP759 ear99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20％ @ 16ma - - -
TLP108(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 前回購入します -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード TLP108 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6-MFSOP 、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 5A991 8541.49.8000 150 25 Ma 5Mbps 30NS、30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785 （D4-LF6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F （D4Y-T7 f -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （D4Y-T7FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP2768F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F -
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 2.7V〜5.5V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP2768F ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP627M(D4-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9300
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP631 - 1 （無制限） 264-TLP631 ear99 8541.49.8000 1,500
TLP160G(T5-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLP160 - 1 （無制限） 264-TLP160G（T5-TPRUFTR ear99 8541.49.8000 3,000
TLP5705H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H（D4LF4、E 2.0100
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 1.8300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2735 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 9V〜15V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 20 ma 10Mbps -、4ns 1.61V 15ma 5000VRMS 1/0 25kv/µs 100NS 、100NS
TLP2601(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601 -
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP2601 DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 25 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 1/0 1kv/µs 75ns、75ns
TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 （TP4 e 2.5800
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5752 光カップリング cqc 1 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a 、2.5a 2.5a 15ns 、8ns 1.55V 20 ma 5000VRMS 35kv/µs 150ns、150ns 50ns 15V〜30V
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP388 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP155 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 10V〜30V 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 - 35ns、15ns 1.55V 20ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 170ns 、170ns
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6100
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 200％ @ 5MA 400％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2363(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 1.0200
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2363 DC 1 オープンコレクター 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 25 Ma 10Mbps 23ns、7ns 1.5V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 80ns、80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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