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メモリカード、モジュール（2975）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | サイズ /寸法 | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | 重さ | 電圧 -供給 | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | メモリタイプ | メモリサイズ | フォームファクター | 速度 -読む | 速度 -書き込み | 現在 -マックス | mb/s 、mt/s |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT9HTF6472FY-53ED4E3 | 96.3301 |  | 5007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 240-FBDIMM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR2 SDRAM | 512MB | 533 | ||||||||||||||
 | MT16VDDF12864HY-40BD2 | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 200ソディム | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR SDRAM | 1GB | 400 | ||||||||||||||
| mtfddak2t0tdl-1aw1zabfa | 419.1298 | | 5429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 1300 | バルク | アクティブ | - | - | SATA III | mtfddak2 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 50 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（tlc） | 2TB | 2.5 " | 530MB/s | 520MB/s | - | |||||||
| MT9LSDT6472G-133C2 | 303.5925 | | 4043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 168-dimm | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | SDRAM | 512MB | 133 | ||||||||||||||
| MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 | - | | 4974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 260-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2133 | |||||||||||||||
| mtfddak3t8tdt-15abyy | - | | 5416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | SATA III | mtfddak3 | - | 5V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 5 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（tlc） | 3.84TB | 2.5 " | 540MB/s | 520MB/s | - | |||||
| mtfddak7t6qde-2av1zfpyy | - | | 9677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5210 | 箱 | 廃止 | 0°C〜70°C | 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm | SATA III | 2.47オンス（70.38 g） | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY | 廃止 | 5 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（qlc） | 7.68TB | 2.5 " | 540MB/s | 360MB/s | - | |||||||
| mtfddak1t9qde-2av16fpyy | - | | 6406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 5210 | 箱 | 廃止 | 0°C〜70°C | 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm | SATA III | 2.47オンス（70.38 g） | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY | 廃止 | 5 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（qlc） | 1.92TB | 2.5 " | 540MB/s | 260MB/s | - | |||||||
| MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 | - | | 9329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | トレイ | 廃止 | 288-lrdimm | - | 3 （168 時間） | 557-MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR4 SDRAM | 64GB | 3200 | |||||||||||||||
| MTA36ASF2G72PZ-2G6F1 | - | | 5484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 288-rdimm | - | 3 （168 時間） | 557-MTA36ASF2G72PZ-2G6F1 | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR4 SDRAM | 16ギガバイト | 2666 | |||||||||||||||
| MTA18ADF2G72AZ-3G2R1 | 123.3450 | | 4388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 288-udimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTA18ADF2G72AZ-3G2R1 | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR4 SDRAM | 16ギガバイト | 3200 | |||||||||||||
| MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 | - | | 5831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 288-rdimm | - | 3 （168 時間） | 557-MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2666 | |||||||||||||||
| mtfdhba512tdv-15abyy | - | | 7668 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | nvme | - | - | - | 557-MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY | 廃止 | 5 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（tlc） | 512GB | M.2モジュール | 3.3GB/s | 2.7GB/s | - | ||||||||||
 | MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY | 87.8700 | | 253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 3400 | バルク | 前回購入します | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 557-MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 180 | - | 512GB | M.2モジュール | - | - | - | ||||||
| mtfdhba512tdv-1az1aabyy | - | | 3535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | nvme | - | - | - | 557-MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY | 廃止 | 5 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（tlc） | 512GB | M.2モジュール | 3.3GB/s | 2.7GB/s | - | ||||||||||
| MTSD064AQC6MS-2WTCS | - | | 9262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTSD064AQC6MS-2WTCS | 廃止 | 120 | |||||||||||||||||||
| MTSD032AQC6MS-1WTCS | - | | 2324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTSD032AQC6MS-1WTCS | 廃止 | 120 | |||||||||||||||||||
| MTA9ASF1G72PZ-2G9J3 | - | | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | トレイ | 廃止 | 288-rdimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR4 SDRAM | 8GB | 2933 | |||||||||||||||
| mtfdhal6t4tdr-1at1zabdb | - | | 6780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C | 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm | nvme | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFDHAL6T4TDR-1AT1ZABDB | 廃止 | 1 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（tlc） | 6.4tb | U.2モジュール | 3.5GB/s | 3.5GB/s | - | ||||||||
 | MTFDKCC7T6TFR-1BC1ZABYY | - | | 8532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDKCC7T6TFR-1BC1ZABYY | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| mtfdkcc3t8tfr-1bc1zabyy | - | | 7583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDKCC3T8TFR-1BC1ZABYY | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| MTFDKCC15T3TFR-1BC1ZABYY | - | | 2732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFDKCC15T3TFR-1BC1ZABYY | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| MTSD032AHC6MS-2WTCS | - | | 7117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | TLC | - | 557-MTSD032AHC6MS-2WTCS | 廃止 | 1 | クラス10 | microSD™ | 32GB | ||||||||||||||||
| MTSD128AHC6MS-2WTCS | - | | 4120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | TLC | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTSD128AHC6MS-2WTCS | 廃止 | 1 | クラス10 | microSD™ | 128GB | |||||||||||||
| MTSD064APC7MS-1WTCS | - | | 8722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | 廃止 | - | 557-MTSD064APC7MS-1WTCS | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MTSD032AQC6MS-2WTCS | - | | 8868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTSD032AQC6MS-2WTCS | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||
| MTSD256AHC6MS-2WTCS | - | | 9204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | TLC | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTSD256AHC6MS-2WTCS | 廃止 | 1 | クラス10 | microSD™ | 256GB | |||||||||||||
| MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 | - | | 4269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | トレイ | 廃止 | 288-udimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 | 廃止 | 100 | DDR4 SDRAM | 16ギガバイト | 3200 | |||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 | 185.2500 | | 8548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | トレイ | アクティブ | 288-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 | 100 | DDR4 SDRAM | 32GB | 3200 | |||||||||||||||
| mta9asf1g72pz-3g2j4 | - | | 7021 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | DDR4 SDRAM | トレイ | 廃止 | 288-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 | 廃止 | 100 | DDR4 SDRAM | 8GB | 3200 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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