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メモリカード、モジュール（2975）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | サイズ /寸法 | パッケージ /ケース | タイプ | テクノロジー | 重さ | 電圧 -供給 | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | メモリタイプ | メモリサイズ | フォームファクター | 速度 -読む | 速度 -書き込み | 現在 -マックス | mb/s 、mt/s |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT18HTF12872FDZ-667G1D6 | - |  | 5974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-FBDIMM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 100 | DDR2 SDRAM | 1GB | 667 | |||||||||||||
| MT18HVF51272PZ-667C1 | 206.4921 | | 1259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 240-rdimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR2 SDRAM | 4ギガバイト | 667 | |||||||||||||
| MT18HVF51272PZ-80EC1 | 206.4921 | | 9632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 240-rdimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR2 SDRAM | 4ギガバイト | 800 | |||||||||||||
 | SMC01GBFK6E | - | | 9376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | -SMC01GBFK6E | ear99 | 8523.51.0000 | 198 | - | Compactflash® | 1GB | |||||||||||
 | SMC04GBFK6E | - | | 7479 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | -SMC04GBFK6E | ear99 | 8523.51.0000 | 198 | - | Compactflash® | 4ギガバイト | |||||||||||
| SMS01GDFB5E | - | | 7418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -sms01gdfb5e | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | クラス2 | microSD™ | 1GB | |||||||||||
| SMS512DFA5E | - | | 8125 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -SMS512DFA5E | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | クラス2 | microSD™ | 512MB | |||||||||||
| MT5VDDT1672AY-40BK1 | - | | 8017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 184-udimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 4A994J | 8473.30.1140 | 100 | DDR SDRAM | 128MB | 400 | |||||||||||||
| MT16JTF51264HZ-1G6M1 | - | | 1487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 204-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 4ギガバイト | 1600 | ||||||||||||||
| MT16LSDF6464HY-133G1 | - | | 1170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 144-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 100 | SDRAM | 512MB | 133 | |||||||||||||
| MT18KDF51272PZ-1G4M1 | - | | 8481 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 4ギガバイト | 1333 | ||||||||||||||
| MT18KDF51272PZ-1G6M1 | - | | 8458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 4ギガバイト | 1600 | ||||||||||||||
| MT18KSF51272PZ-1G4D1 | - | | 7109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 4ギガバイト | 1333 | ||||||||||||||
| MT36JSF1G72PZ-1G6M1 | - | | 8557 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 8GB | 1600 | ||||||||||||||
| MT36JSF2G72PZ-1G4D1 | - | | 1108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 16ギガバイト | 1333 | ||||||||||||||
| MT36KSF2G72PDZ-1G1D1 | - | | 3646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3L SDRAM | 16ギガバイト | 1066 | ||||||||||||||
| MT8LSDT3264AY-13EG1 | - | | 6263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 168-udimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | SDRAM | 256MB | 133 | |||||||||||||
| MT8LSDT3264HY-133G1 | - | | 1051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 144-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | SDRAM | 256MB | 133 | |||||||||||||
| MT8LSDT3264HY-13EG1 | - | | 6273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 144-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | SDRAM | 256MB | 133 | |||||||||||||
| MT8VDDT3264AY-335K1 | 45.9469 | | 7743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 184-udimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | DDR SDRAM | 256MB | 333 | |||||||||||||
| MT8VDDT6432UY-335M1 | - | | 5489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 100-udimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | DDR SDRAM | 256MB | 333 | ||||||||||||||
| MT9VDDT3272PHY-335M1 | - | | 8216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 200ソディム | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | DDR SDRAM | 256MB | 333 | |||||||||||||
| MT9VDDT6472HIY-335F2 | - | | 1341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 200ソディム | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0028 | 100 | DDR SDRAM | 512MB | 333 | ||||||||||||||
| MTFDGAR350SAH-1N14AB | - | | 6659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | P320H | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C | 167.65mm x 68.90mm x 18.71mm | - | - | 12V | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 10 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（slc） | 350GB | PCIe 2.0 | 3.2GB/s | 1.9GB/s | - | |||||||
| MTFDGAR350SAH-1N3AB | - | | 4395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | P320H | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C | 167.65mm x 68.90mm x 18.71mm | - | - | 12V | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8471.70.6000 | 10 | ソリッドステートドライブ（ ssd）フラッシュ-nand（slc） | 350GB | PCIe 2.0 | 3.2GB/s | 1.9GB/s | - | |||||||
| MT36KSZF2G72LDZ-1G6P1A7 | - | | 8136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 240-lrdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3L SDRAM | 16ギガバイト | 1600 | |||||||||||||
| MT16KTF1G64HZ-1G6E2 | - | | 2025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 204-sodimm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3L SDRAM | 8GB | 1600 | ||||||||||||||
| MT18JDF1G72PZ-1G6E1 | - | | 8913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3 SDRAM | 8GB | 1600 | ||||||||||||||
| MT9KSF51272PZ-1G6E2 | - | | 8810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8473.30.1140 | 100 | DDR3L SDRAM | 4ギガバイト | 1600 | ||||||||||||||
| MT18JDF1G72PZ-1G9P1 | - | | 8431 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 240-rdimm | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 100 | DDR3 SDRAM | 8GB | 1866年 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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