画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | パワー -マックス | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 出力構成 | センシング方法 | センサータイプ | 波長 | オリエンテーション | 表示角度 | 現在-dc フォワード( if )( max) | センシング距離 | 応答時間 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -dark(id )( max) | ダイオードタイプ | 色 -強化 | スペクトル範囲 | @ @ nm | 現在 -ダーク(タイプ) | アクティブエリア |
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![]() | H21A5 | 0.6400 | ![]() | 741 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴、フランジ | スロット付き、 PCピン | 増幅されていない | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 50 | PhotoTransistor | スルービーム | 50 Ma | 0.118 "(3mm) | 8µs 、50µs | 55 v | 20 ma | |||||||||||||||||
![]() | MOC70P2 | 0.7000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴、フランジ | スロット付き、 PCピン | 増幅されていない | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 430 | PhotoTransistor | スルービーム | 50 Ma | 0.200 "(5.08mm) | 20µs 、80µs | 30 V | 20 ma | |||||||||||||||||
![]() | QSB363CGR | 0.2900 | ![]() | 9243 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 2-SMD 、カモメの翼 | 75 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.7080 | 988 | 940nm | トップビュー | 24° | 30 V | 100 Na | |||||||||||||||||||
![]() | H22A6 | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜100°C | 穴、フランジ | スロット付き、 PCピン | 増幅されていない | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 452 | PhotoTransistor | スルービーム | 60 Ma | 0.118 "(3mm) | 8µs 、50µs | 55 v | ||||||||||||||||||
![]() | QVB11134 | 1.0000 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QVB | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴、フランジ | モジュール、 PC ピン、スロットタイプ | 増幅されていない | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.8000 | 50 | PhotoTransistor | スルービーム | 50 Ma | 0.125 "(3.18mm) | - | 30 V | 40 Ma | |||||||||||||||||
![]() | QSE973 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 穴を通して | to-226-2、to-92-2(to-226ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.49.1050 | 1,000 | 930nm | 90° | 50ns | 32 v | ピン | - | - | - | 30na | - | |||||||||||||||
![]() | QSE773 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 802 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE773E3R0 | 0.4000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 743 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE133 | 1.0000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C(Ta) | 穴を通して | ラジアル、サイドビュー | 100 MW | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 880nm | サイドビュー | 50° | 30 V | 100 Na | ||||||||||||||||||||
![]() | 5192 | - | ![]() | 4048 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -10°C〜50°C | to-5バリアント、3 つのリード、レンズトップメタル缶 | ダウンロード | ear99 | 8541.49.8000 | 48 | 動き、 pyroelectric、pir (パッシブ赤外線) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE113 | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜100°C | 穴を通して | ラジアル、サイドビュー | 100 MW | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-QSE113-600039 | 1 | 880nm | サイドビュー | 50° | 30 V | 1.5 Ma | 100 Na | ||||||||||||||||||
![]() | BPW38 | - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C(タタ | 穴を通して | to-206aa | 300 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.49.7080 | 500 | 880nm | トップビュー | 18° | 25 v | 100 Na | |||||||||||||||||
![]() | L14N1 | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C(タタ | 穴を通して | to-206aa | 300 MW | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.41.0000 | 500 | 880nm | トップビュー | 80° | 30 V | 100 Na |
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