画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | パッケージ /ケース | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | その他の名前 | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3D06010I2 | 4.1600 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 26a | |
![]() | P3D12005T2 | 4.5000 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | |
![]() | P3D06008T2 | 3.3300 | ![]() | 7218 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 26a | |
![]() | P3D12010G2 | 6.5400 | ![]() | 7423 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12010G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 33a | |
![]() | P3D06010T2 | 4.1600 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 30a | |
![]() | P3D12040K3 | 18.7200 | ![]() | 4655 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12040K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 92a | |
![]() | P3D12015K2 | 10.8700 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12015K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 40a | |
![]() | P3D06006E2 | 2.5000 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 18a | |
![]() | P3D06008G2 | 3.3300 | ![]() | 6822 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 26a | |
![]() | P3D12030K3 | 14.9200 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12030K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 94a | |
![]() | P3D12010K2 | 6.5400 | ![]() | 7474 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D120101010K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 31a | |
![]() | P3D06016K3 | 7.7800 | ![]() | 2736 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06016K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 64a | |
![]() | P3D12040K2 | 18.7200 | ![]() | 1468 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12040K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 93a | |
![]() | P3D12010T2 | 6.5400 | ![]() | 6876 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12010T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 31a | |
![]() | P3D06016GS | 7.7800 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263S | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06016GSTR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 45 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 40a | |
![]() | P3D06020K3 | 8.8400 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 82a | |
![]() | P3D12015T2 | 10.8700 | ![]() | 3041 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12015T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 34a | |
![]() | P3D06002E2 | 0.9100 | ![]() | 5306 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06002E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 9a |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫