画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79C2V7-T50A | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C2 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | FFA30U20DNTU | 1.0000 | ![]() | 6455 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 40 ns | 30 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | fep16ft | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | FLZ16VC | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 12 v | 16.1 v | 15.2オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N968BTR | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | flz3v3a | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 14 µA @ 1 V | 3.3 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5263B | 1.8600 | ![]() | 158 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±0.5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5263 | 500 MW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 900 mV @ 200 mA | 100 Na @ 41 v | 56 v | 150オーム | |||||||||||
![]() | FES16DTR | 1.0000 | ![]() | 3870 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | 16a | 170pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | rurd620 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-251-3 | 標準 | i-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | 1N5224B | 2.4100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5224 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 125 | 900 mV @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 2.8 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | - | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C8 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | MMBZ5245B | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||
![]() | MM5Z18V | 0.0200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z18V-600039 | 1 | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | |||||||||||||||
![]() | FMKA140 | 0.3700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 1 a | 1 MA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | RHRG1560-F085 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.3 V @ 15 a | 55 ns | 100 µA @ 1 V | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | 1N759A | 1.9300 | ![]() | 91 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 12 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | SS33 | 0.2200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,350 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | MM3Z43VC | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 30.1 v | 43 v | 141オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N967B | 2.8700 | ![]() | 47 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 105 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 21オーム | |||||||||||||||
![]() | FLZ22VB | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 17 V | 21.2 v | 25.6オーム | ||||||||||||||
![]() | SB380 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,219 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 3a | 180pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | egf1d | 1.0000 | ![]() | 9952 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
MMSZ4689 | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ46 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 3 V | 5.1 v | |||||||||||||
![]() | MBRA3045NTU | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | ショットキー | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 760 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 800 mV @ 30 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | rurg1520cc_nl | - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 雪崩 | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | FFAF10U120DNTU | 1.4800 | ![]() | 360 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 10a | 3.5 V @ 10 a | 100 ns | 10 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | FFA60UP20DNTU | 1.1600 | ![]() | 450 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3pn | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.15 V @ 30 a | 40 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | FFPF10UA60ST | 1.0000 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.3 V @ 10 a | 120 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | 1N914BWT | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 1N914B | 標準 | SOD-523F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | FFAF05U120DNTU | 1.0600 | ![]() | 699 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 5a | 3.5 V @ 5 a | 100 ns | 5 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫