画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MM3Z30VC | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,013 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 21 v | 30 V | 75オーム | ||||||||||||||
![]() | GBPC3510 | 1.0000 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 4 平方、GBPC | GBPC35 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 1 V | 35 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | ffpf10up20stu | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 567 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 10 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | MB8S | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-269AA | 標準 | TO-269AA MINIDIL SLIM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,526 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 800 V | 500 Ma | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | GBPC1201 | 1.0000 | ![]() | 9896 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 12 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||
![]() | 1N4756A | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N750ATRリール | - | ![]() | 4887 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | -204AHをします | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4734ATR | 0.0300 | ![]() | 6261 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | MBR20150CTTU | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 750 mv @ 10 a | 200 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||
![]() | FDLL333 | - | ![]() | 1548 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1.15 V @ 300 MA | 3 Na @ 125 v | 175°C (最大) | 200mA | 6PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MBR4060PT | 1.5800 | ![]() | 855 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | ショットキー | to-3p | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 207 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 40a | 800 mV @ 20 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | S3DB | - | ![]() | 5629 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,017 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | FDH444TR | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | FDH444 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 9,779 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1.2 V @ 300 MA | 60 ns | 50 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZX85C7V5TR5K | 0.0200 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | UF4004 | - | ![]() | 3909 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | GBPC1502W | 3.0300 | ![]() | 516 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 200 V | 15 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | MM3Z47VB | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,600 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 33 v | 47 v | 160オーム | ||||||||||||||
![]() | FSV2060L | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 600 mV @ 20 a | 320 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 20a | 771pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N6001B | 1.8400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.4 v | 11 v | 18オーム | |||||||||||||
![]() | 1N751A | - | ![]() | 3959 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||
![]() | KBU8A | 1.2800 | ![]() | 2854 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 178 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | 1N5995B | 1.8400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | FFPF04S60STU | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 4 a | 25 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 4a | - | |||||||||||
![]() | 1N4729ATR | 0.0700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | 3N248 | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | 2kbp06m | 0.2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | flz33va | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 25 V | 30.5 v | 55オーム | |||||||||||||
![]() | KBP01M | 0.4800 | ![]() | 2866 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 207 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | FFPF04U150STU | 1.0000 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.8 V @ 4 a | 150 ns | 7 µA @ 1500 v | -65°C〜150°C | 4a | - | |||||||||||
![]() | 3N249 | - | ![]() | 8176 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 単相 | 400 V |
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