画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4933 | 0.0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | EGP30G | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 3a | 75pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | FFSH1665ADN-F155 | 4.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FFSH1665ADN-F155 | ear99 | 8541.10.0080 | 72 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 11a(dc) | 1.75 V @ 8 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | MM5Z62V | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | MM5Z6 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | ||||||||||||||
![]() | S3a | 1.0000 | ![]() | 9473 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Alliance Plastics | バルク | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N756ATR | 0.0500 | ![]() | 170 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5993B | 1.8400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 50オーム | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V7B | 0.0200 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 75オーム | |||||||||||||||||
![]() | bav70 | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 75 v | 215ma | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
MMSD4148 | - | ![]() | 4598 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | MMSD41 | 標準 | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | DCB010-TB-E | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | 3-CP | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 125°C (最大) | ||||||||||||||
![]() | 1N5991B | 2.0000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 88オーム | ||||||||||||||||
![]() | GF1D | 0.1300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,441 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N4001 | 0.0200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX79C6V2 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N5223B | 0.0200 | ![]() | 143 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±0.5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4731ATR | 0.0300 | ![]() | 249 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4731 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5406 | 1.0000 | ![]() | 2232 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5406 | 標準 | do15/do204ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 3 a | 1.5 µs | 200 Na @ 600 V | -50°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | BZX55C4V3 | 0.0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75オーム | ||||||||||||||||
![]() | S2A | - | ![]() | 3731 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Alliance Plastics | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N4936 | 0.0200 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 6,173 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | GBPC1208W | 2.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 12 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | KBL06 | - | ![]() | 7657 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | 標準 | KBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 4 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
MMSZ5240B | - | ![]() | 2359 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55C20 | 0.0500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5997B | 1.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 500 µA @ 6 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||||||
MMSZ5238B | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | FLZ22VA | 0.0200 | ![]() | 83 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 17 V | 20.6 v | 25.6オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4729A | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±0.5% | - | 穴を通して | 軸 | 1N4729 | 1 W | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 MA | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | MBR1045 | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR104 | ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 10a | - |
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