画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 1994年年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 400 V | 25 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||
![]() | 1N5247BTR | 0.0200 | ![]() | 4891 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5251B | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 mV @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||||
![]() | MDB6S | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5245B | 0.0300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 1 V | 12 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | NSR01F30NXT5G | 0.0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 0201 (0603 メトリック) | ショットキー | 2-DSN (0.60x0.30 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 4,157 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 100 Ma | 50 µA @ 30 V | 125°C (最大) | 100mA | 7PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MM3Z56VC | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 39.2 v | 56 v | 188オーム | ||||||||||||||
![]() | GBPC15005 | 2.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 121 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 15 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | gbu4k | 1.0000 | ![]() | 6366 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU4 | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 2.8 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | SS28 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mV @ 2 a | 400 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | BZX79C39 | 0.0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | ||||||||||||||
![]() | DF01M | 0.2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | 標準 | DFM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,151 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | FFH60UP40S3 | 1.0000 | ![]() | 9759 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | TO-247 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 60 a | 85 ns | 100 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4148 | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N414 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5260B | 2.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 159 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | ||||||||||||||
![]() | gbu8g | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 146 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 400 V | 5.6 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | DF005S1 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 50 V | 1 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | BZX84C27 | 0.0200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||
MMSZ5236B | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | MM5Z36V | 1.0000 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | MM5Z3 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ5246B | 1.0000 | ![]() | 8636 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||
![]() | 1N5402 | - | ![]() | 7746 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | 1N5402 | 標準 | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 3 a | 1.5 µs | 200 Na @ 200 V | -50°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
![]() | BAW62 | 0.0200 | ![]() | 247 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW62 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 300mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | 1N4751A-T50A | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4751 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||
![]() | SS24 | 0.0900 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS24 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 11 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 2a | - | |||||||||
![]() | BZX85C5V6 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C5 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 7オーム | ||||||||||
![]() | 1S921TR | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1S92 | 標準 | DO-35 | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 5,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 100 V | 200mA | - | |||||||||||
![]() | BZX85C18 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 na @ 12.5 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ5226B-FS | 0.0200 | ![]() | 307 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム |
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