画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 電流に結合された電圧 - @ vr | 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP10G | 0.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,277 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||
![]() | ES3A | 0.2400 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 903 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | RHRG5060F085 | 2.5900 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 50 a | 60 ns | 250 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 50a | - | ||||||||||||||
![]() | FYV0203DSMTF | 0.0500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200mA | 1 V @ 200 mA | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||
![]() | SB330 | 0.1200 | ![]() | 7914 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | SB33 | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 490 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | BZX85C56 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 56 v | 120オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N747A | 2.0800 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C33 | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C33 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N483B | 6.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N483 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 54 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 80 v | 1 V @ 100 MA | 25 na @ 60 v | 175°C (最大) | 200mA | - | ||||||||||||||
![]() | RB520S30 | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | RB520 | ショットキー | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 600 mV @ 200 mA | 1 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||||||||
![]() | NSR2030DMXTAG | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-NSR2030DMXTAG-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C27 | 0.0500 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 19 V | 27 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5247B | 1.0000 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | ||||||||||||||||
![]() | ISL9K460p3 | 1.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ISL9K460 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 4a | 2.4 V @ 4 a | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | MMBZ5228B | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | GBPC12005W | 0.8800 | ![]() | 1110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 32 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 50 V | 12 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||||
![]() | SS34 | 1.0000 | ![]() | 4445 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS34 | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | SB540 | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -50°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | FFP04U40DNTU | 0.2700 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 4a | 1.4 V @ 4 a | 45 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | flz9v1b | 0.0200 | ![]() | 4948 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,433 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 8.8 v | 6.6オーム | ||||||||||||||||||
![]() | EGP10A | 0.0700 | ![]() | 164 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 4,990 | 標準回復> 500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 22PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N457A | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1 | 1 | -65°C〜150°C | 150ma | - | 70 | 100 | ||||||||||||||
![]() | FFAF15U120DNTU | 2.1400 | ![]() | 360 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 15a | 3.5 V @ 15 a | 100 ns | 15 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | SB580 | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 876 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 5 a | 500 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 5a | 380pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAW56T | 0.0200 | ![]() | 9154 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOT-523 | BAW56 | 標準 | SOT-523 | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 85 v | 75ma | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2 µA @ 75 v | 125°C (最大) | |||||||||||||||
![]() | FFP10U20DNTU | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.2 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | DF04S1 | - | ![]() | 8426 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 400 v | 1 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79C11 | 0.0300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BZX55C2V4 | 1.0000 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | ||||||||||||||||||
![]() | flz9v1a | 0.0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 8.5 v | 6.6オーム |
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