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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4936 Fairchild Semiconductor 1N4936 0.0200
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 軸 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 6,173 高速回復= <500ns 400 V 1.2 V @ 1 a 300 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 1a -
BZX79C4V3-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C4V3-T50A -
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6.98％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 2156-BZX79C4V3-T50A ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
MM5Z2V7 Fairchild Semiconductor MM5Z2V7 -
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z2 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BZX84C6V8 Fairchild Semiconductor BZX84C6V8 0.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C6 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
FFA15U40DNTU Fairchild Semiconductor FFA15U40DNTU 0.7500
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 12 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 15a 1.4 V @ 15 a 50 ns 40 µA @ 400 v -65°C〜150°C
1N5237B Fairchild Semiconductor 1N5237B 0.0300
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 500 MW ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 3 µA @ 6.5 v 8.2 v 8オーム
EGP10K Fairchild Semiconductor EGP10K 0.1100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 EGP10 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,834 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 1a -
1N4743A Fairchild Semiconductor 1N4743a 0.0300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.9 v 13 v 10オーム
BZX55C3V3 Fairchild Semiconductor BZX55C3V3 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 2 µA @ 1 V 3.3 v 85オーム
1N5987B Fairchild Semiconductor 1N5987B 1.8400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 v 95オーム
MMSZ5249BT1G Fairchild Semiconductor MMSZ5249BT1G 0.0300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
BAT54HT1G Fairchild Semiconductor BAT54HT1G -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 BAT54 ショットキー SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V、1MHz
BAY73 Fairchild Semiconductor Bay73 1.0000
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 標準回復> 500ns 125 v 1 V @ 200 mA 1 µs 5 Na @ 100 V 175°C （最大） 500mA 8pf @ 0V、1MHz
ISL9R1560S2 Fairchild Semiconductor ISL9R1560S2 -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ バルク 廃止 穴を通して To-262-3 Long Leads 雪崩 i2pak（to-262） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 81 高速回復= <500ns 600 V 2.2 V @ 15 a 40 ns 100 µA @ 600 V -55°C〜175°C 15a -
MM3Z4V3C Fairchild Semiconductor MM3Z4V3C 0.0400
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,103 1 V @ 10 mA 2.7 µA @ 1 V 4.3 v 84オーム
BZX79C33-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C33-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-BZX79C33-T50A-600039 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 23.1 v 33 v 80オーム
FFPF20U60DNTU Fairchild Semiconductor FFPF20U60DNTU 0.5400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 20a 2.2 V @ 20 a 90 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C
BZX55C22 Fairchild Semiconductor BZX55C22 0.0600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 17 V 22 v 55オーム
BZX79C9V1-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C9V1-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 2197 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 500 NA @ 6 V 9.1 v 15オーム
FLZ13VB Fairchild Semiconductor FLZ13VB 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 10 V 12.9 v 11.4オーム
SB520 Fairchild Semiconductor SB520 -
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー DO-2011 ダウンロード 0000.00.0000 1 高速回復= <500ns 20 v 550 mv @ 5 a 500 µA @ 20 V -50°C〜150°C 5a -
BZX85C5V6-T50R Fairchild Semiconductor BZX85C5V6-T50R 0.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-BZX85C5V6-T50R-600039 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 2 V 5.6 v 7オーム
1N4938TR Fairchild Semiconductor 1N4938TR 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 15,000 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 75 V 175°C （最大） 500mA 5PF @ 0V、1MHz
1N5234B Fairchild Semiconductor 1N5234B 0.0300
RFQ
 ECAD 542 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 500 MW - ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 5 µA @ 4 V 6.2 v 7オーム
FEP16CT Fairchild Semiconductor FEP16CT 0.4700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C
FFA10U40DNTU Fairchild Semiconductor FFA10U40DNTU 0.8800
RFQ
 ECAD 515 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 450 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 10a 1.4 V @ 10 a 50 ns 30 µA @ 400 V -65°C〜150°C
S3G Fairchild Semiconductor S3G 1.0000
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc 標準 smc（do-214ab） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 1.7 v -50°C〜150°C 3a -
MM5Z4V3 Fairchild Semiconductor MM5Z4v3 0.0200
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F 200 MW SOD-523F - 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-MM5Z4V3-600039 1 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
1N4735A Fairchild Semiconductor 1N4735A 0.0800
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 箱 アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3845-1N4735A ear99 1 10 µA @ 3 V 6.2 v 2オーム
1N4733ATR Fairchild Semiconductor 1N4733ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 2,351 10 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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