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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
1N6006B Fairchild Semiconductor 1N6006B 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 18 v 42オーム
BAW56T Fairchild Semiconductor BAW56T 0.0200
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SOT-523 BAW56 標準 SOT-523 ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペア共通アノード 85 v 75ma 1 V @ 50 mA 4 ns 2 µA @ 75 v 125°C (最大)
MM3Z30VC Fairchild Semiconductor MM3Z30VC 0.0400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,013 1 V @ 10 mA 45 Na @ 21 v 30 V 75オーム
RS1KFP Fairchild Semiconductor RS1KFP -
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123H rs1k 標準 SOD-123HE ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1.2a 18pf @ 0V、1MHz
DF06S2 Fairchild Semiconductor DF06S2 -
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 600 v 2 a 単相 600 V
1N973B Fairchild Semiconductor 1N973B 1.8400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 25.1 v 33 v 58オーム
FLZ9V1B Fairchild Semiconductor flz9v1b 0.0200
RFQ
ECAD 4948 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,433 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 6 V 8.8 v 6.6オーム
BZX79C20 Fairchild Semiconductor BZX79C20 0.0200
RFQ
ECAD 139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C20 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
1N5257BTR Fairchild Semiconductor 1N5257BTR 0.0200
RFQ
ECAD 241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
FFB20UP20STM Fairchild Semiconductor ffb20up20stm 1.0000
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-263-3 標準 d2pak(to-263) ダウンロード 0000.00.0000 1 高速回復= <500ns 200 v 1.15 V @ 20 a 45 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜150°C 20a -
MMBZ5243B Fairchild Semiconductor MMBZ5243B 0.0200
RFQ
ECAD 171 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
BZX85C24-T50R Fairchild Semiconductor BZX85C24-T50R 0.0300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 17 V 24 v 25オーム
1N4753A Fairchild Semiconductor 1N4753a 0.0300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜20°C 穴を通して 1 W ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 5 µA @ 27.4 v 36 v 50オーム
SB560 Fairchild Semiconductor SB560 1.0000
RFQ
ECAD 3074 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー DO-2011 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 670 mV @ 5 a 500 µA @ 60 V -50°C〜150°C 5a -
MM3Z3V3C Fairchild Semiconductor MM3Z3V3C 0.0200
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,220 1 V @ 10 mA 4.5 µA @ 1 V 3.3 v 89オーム
FDH444TR Fairchild Semiconductor FDH444TR 0.0300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 FDH444 標準 DO-35 ダウンロード ear99 8542.39.0001 9,779 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 125 v 1.2 V @ 300 MA 60 ns 50 Na @ 100 V 175°C (最大) 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
BZX85C6V2T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2T50A -
RFQ
ECAD 9744 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.45% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 3 V 6.2 v 4オーム
1N5262B Fairchild Semiconductor 1N5262B -
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 39 v 51 v 125オーム
1N5240BTR Fairchild Semiconductor 1N5240btr 0.0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5240 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 8 V 10 v 17オーム
1N914ATR Fairchild Semiconductor 1N914ATR 0.0400
RFQ
ECAD 44 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード ear99 8541.10.0070 7,991 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 100 V 1 V @ 20 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175°C (最大) 200mA 4PF @ 0V、1MHz
1N758A Fairchild Semiconductor 1N758A 1.9300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 10 v 17オーム
UF4002 Fairchild Semiconductor UF4002 0.0900
RFQ
ECAD 51 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-41、軸 UF400 標準 DO-41/DO-204AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 3,242 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 1 a 50 ns 5 µA @ 100 V -50°C〜175°C 1a -
SB580 Fairchild Semiconductor SB580 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 ショットキー DO-201AD ダウンロード ear99 8541.10.0080 876 高速回復= <500ns 80 v 850 mv @ 5 a 500 µA @ 80 V -55°C〜150°C 5a 380pf @ 4V、1MHz
FDH333_Q Fairchild Semiconductor FDH333_Q 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1
BZX85C56 Fairchild Semiconductor BZX85C56 0.0400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7% -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 39 v 56 v 120オーム
FMKA130 Fairchild Semiconductor FMKA130 0.1000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 30 V 550 mV @ 1 a 1 mA @ 30 v -65°C〜125°C 1a -
RGF1A Fairchild Semiconductor RGF1A 0.1200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,410 高速回復= <500ns 50 v 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V、1MHz
MMSZ5231B Fairchild Semiconductor MMSZ5231B -
RFQ
ECAD 2666 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -50°C〜150°C (TJ 表面マウント SOD-123 MMSZ5231B 500 MW SOD-123 ダウンロード 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
1N4730A_NL Fairchild Semiconductor 1N4730A_NL -
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
BZX79C7V5-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C7V5-T50A 0.0300
RFQ
ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 1 µA @ 5 V 7.5 v 15オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫