画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6006B | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 42オーム | |||||||||||||||
![]() | BAW56T | 0.0200 | ![]() | 9154 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOT-523 | BAW56 | 標準 | SOT-523 | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 85 v | 75ma | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2 µA @ 75 v | 125°C (最大) | ||||||||||||
![]() | MM3Z30VC | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,013 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 21 v | 30 V | 75オーム | ||||||||||||||||
![]() | RS1KFP | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | rs1k | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.2 a | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.2a | 18pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | DF06S2 | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N973B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 58オーム | ||||||||||||||||
![]() | flz9v1b | 0.0200 | ![]() | 4948 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,433 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 8.8 v | 6.6オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX79C20 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C20 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5257BTR | 0.0200 | ![]() | 241 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||
![]() | ffb20up20stm | 1.0000 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | d2pak(to-263) | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 20 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5243B | 0.0200 | ![]() | 171 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | |||||||||||||
![]() | BZX85C24-T50R | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 24 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4753a | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||||
![]() | SB560 | 1.0000 | ![]() | 3074 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 670 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -50°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||
![]() | MM3Z3V3C | 0.0200 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,220 | 1 V @ 10 mA | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 v | 89オーム | ||||||||||||||||
![]() | FDH444TR | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | FDH444 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 9,779 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1.2 V @ 300 MA | 60 ns | 50 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX85C6V2T50A | - | ![]() | 9744 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.45% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5262B | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5240btr | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5240 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N914ATR | 0.0400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 7,991 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N758A | 1.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 10 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | UF4002 | 0.0900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | UF400 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,242 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | SB580 | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 876 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 5 a | 500 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 5a | 380pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | FDH333_Q | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C56 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 56 v | 120オーム | |||||||||||||||
![]() | FMKA130 | 0.1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 mA @ 30 v | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | RGF1A | 0.1200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,410 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
MMSZ5231B | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5231B | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4730A_NL | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX79C7V5-T50A | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫