画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | fep16cta | 0.6100 | ![]() | 130 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 150 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MM3Z6V8C | 0.0300 | ![]() | 126 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,663 | 1 V @ 10 mA | 1.8 µA @ 4 V | 6.8 v | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | FDH333 | 0.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FDH333 | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1.05 V @ 200 mA | 3 Na @ 125 v | 175°C | 200mA | 6PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5352BRLG | - | ![]() | 2884 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 11.5 v | 15 V | 2.5オーム | |||||||||||||||
![]() | FLZ15VB | 0.0200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 11 v | 14.3 v | 13.3オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4733A-T50R | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4733 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5254B-FS | 1.0000 | ![]() | 9212 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C5V6 | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N486B-T50A | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1 V @ 100 MA | 50 Na @ 225 v | 175°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | EGP20J | 0.2200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,385 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1MD2 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4446 | 0.0600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 179 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ffp30up20dntu | 1.0000 | ![]() | 3927 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.15 V @ 15 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBR460MFST3G | - | ![]() | 9210 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | MBR460 | ショットキー | 5-dfn | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 740 mV @ 4 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 4a | - | |||||||||||||
MMSZ5227B | - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 28オーム | ||||||||||||
![]() | FDLL914B | 0.0300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 5 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N6014B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 130オーム | ||||||||||||||
![]() | FFPF06U20DPTU | 0.2000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1N4738ATR | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBR3045STG | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR3045 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | egf1b | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,205 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FFPF12UP20DNTU | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.15 V @ 6 a | 12 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | bax16tr | - | ![]() | 3191 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | Bax16 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 650 mV @ 1 Ma | 120 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | - | ||||||||||||
![]() | MBR2545CT | - | ![]() | 2553 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2545 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 214 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 25a | 820 mv @ 25 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | RURD620CCS9A-SB82215 | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-RURD620CCS9A-SB82215-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5820 | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | 1N58 | ショットキー | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 高速回復= <500ns | 20 v | 850 mV @ 9.4 a | 2ma @ 20 v | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | SB160 | 0.0900 | ![]() | 128 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | ショットキー | do15/do204ac | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | SB150 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -60°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX79C5V6TR | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | flz2v4b | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±4% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 84 µA @ 1 V | 2.5 v | 35オーム |
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