画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5227B | 0.0300 | ![]() | 247 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55C30 | 0.0500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4935GP | 0.1700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N6015B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||
![]() | Bax16 | 0.0300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 8,663 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 650 mV @ 1 Ma | 120 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | gbu4j | 0.8400 | ![]() | 360 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 2.8 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | S2M | - | ![]() | 4700 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2M | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ISL9R860PF2 | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | MMBZ5231B_S00Z | 1.0000 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C5V6-T50A | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | FLZ33VB | 0.0200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 25 V | 31.1 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55C15 | 0.0600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50R | 0.0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4744 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||
![]() | BAW76 | 1.0000 | ![]() | 7262 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW76 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 175°C (最大) | 300mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | MM3Z20VC | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 14 V | 20 v | 51オーム | |||||||||||||||
![]() | flz6v2a | 0.0200 | ![]() | 6234 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 11,324 | 1.2 V @ 200 mA | 3.3 µA @ 3 V | 5.9 v | 8.5オーム | ||||||||||||||
![]() | BAS16 | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS16 | 標準 | SC-59-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.2pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | S310 | 0.3400 | ![]() | 378 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 948 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4154 | 1.2700 | ![]() | 218 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 237 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 35 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175°C (最大) | 100mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5228btr | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | ES2C | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 5 µA @ 150 v | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | RS1AFA | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123FA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FFPF06U150STU | 0.2300 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | - | ROHS3準拠 | 2156-FFPF06U150STU-FS | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.8 V @ 6 a | 150 ns | 10 µA @ 1500 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||||||||
![]() | 1N756A | 1.9200 | ![]() | 141 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1 | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C5 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | SB2003M-TL-E | 0.1900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | ショットキー | 6 MCPH | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-SB2003M-TL-E-600039 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 20 ns | 30 µA @ 15 V | -55°C〜125°C | 2a | 75pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||
![]() | EGP30C | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,212 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 3a | 95pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FDLL914A | 0.0200 | ![]() | 6982 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 3,258 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | flz30vc | 0.0200 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 4,045 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 23 v | 29.1 v | 46オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N459ATR | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 100 MA | 25 Na @ 175 v | 175°C (最大) | 500mA | 6PF @ 0V、1MHz |
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