画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | bav99wt1g | 1.0000 | ![]() | 3243 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | bav99 | 標準 | SC-70-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 100 V | 215ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | mm3z3v9c | 1.0000 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 v | 84オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5399 | 0.0400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5233B | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 穴を通して | 500 MW | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bax16 | 0.0300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 8,663 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 150 v | 650 mV @ 1 Ma | 120 ns | 100 Na @ 150 V | 175°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||||
![]() | MMBD1401A | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 175 v | 1 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 175 v | 150°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N4150TR | 0.0200 | ![]() | 6219 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 5 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 200 mA | 6 ns | 100 Na @ 50 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N6012B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 88オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5228btr | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MM3Z20VC | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 14 V | 20 v | 51オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BAS16 | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS16 | 標準 | SC-59-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.2pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | ES2C | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 5 µA @ 150 v | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||
![]() | BAW76 | 1.0000 | ![]() | 7262 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW76 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 175°C (最大) | 300mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4732a | 0.0300 | ![]() | 101 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21HT1G | - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | BAS21 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BAS21HT1G-600039 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z16V | 0.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 200 MW | SOD-523F | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z16V-600039 | 1 | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||||||
![]() | flz4v3c | 0.0200 | ![]() | 3720 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 12,090 | 1.2 V @ 200 mA | 470 Na @ 1 V | 4.4 v | 32オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MM5Z4V7 | 0.0300 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523F | 500 MW | SOD-523F | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z4V7-600039 | 1 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N750A | 2.0800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||||||
![]() | FFAF60A150DSTU | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | to-3p-3フルパック | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 20 a | - | 標準-1ペアシリーズ接続 | 600V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N6010B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | DBG150G | 3.9000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | 4-sip、dbf | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 900 mV @ 7.5 a | 10 µA @ 600 V | 3.6 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||
![]() | 3N255 | 0.2500 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2156-3N255-FS | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 200 V | 2 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | 3N246 | 0.2200 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 112 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1.5 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5 | 0.0200 | ![]() | 7856 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 4,335 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 3N259 | 1.0000 | ![]() | 2127 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1 V | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | 2w10g | 1.0000 | ![]() | 1856年年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円形、 wob | 標準 | ぐらつき | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 1 V | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C56 | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | KBU4K | 1.0000 | ![]() | 8500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 800 V |
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