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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f
BZX79C56 Fairchild Semiconductor BZX79C56 0.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 39.2 v 56 v 200オーム
1N755A Fairchild Semiconductor 1N755A 2.0800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 7.5 v 6オーム
FFAF60A150DSTU Fairchild Semiconductor FFAF60A150DSTU 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -65°C〜150°C to-3p-3フルパック to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 360 20 a - 標準-1ペアシリーズ接続 600V -
DBG150G Fairchild Semiconductor DBG150G 3.9000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して 4-sip、dbf 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 250 900 mV @ 7.5 a 10 µA @ 600 V 3.6 a 単相 600 V
3N255 Fairchild Semiconductor 3N255 0.2500
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 2156-3N255-FS ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 200 V 2 a 単相 200 v
KBP04M Fairchild Semiconductor KBP04M 1.0000
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
3N246 Fairchild Semiconductor 3N246 0.2200
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 112 1 V @ 1 a 5 µA @ 50 V 1.5 a 単相 50 v
FLZ33VD Fairchild Semiconductor FLZ33VD 0.0200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 32.3 v 55オーム
1N750A Fairchild Semiconductor 1N750A 2.0800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.7 v 19オーム
KBL10 Fairchild Semiconductor KBL10 0.3700
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 24 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 1 V 4 a 単相 1 kV
1N5990B Fairchild Semiconductor 1N5990B 1.8400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
FLZ4V7A Fairchild Semiconductor flz4v7a 1.0000
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 190 na @ 1 v 4.6 v 21オーム
KBU4K Fairchild Semiconductor KBU4K 1.0000
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 800 V
GBU4M Fairchild Semiconductor gbu4m 0.7200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 414 1 V @ 4 a 5 µA @ 1 V 2.8 a 単相 1 kV
EGP30B Fairchild Semiconductor EGP30B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 950 mv @ 3 a 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 3a 95pf @ 4V、1MHz
US1AFA Fairchild Semiconductor US1AFA 1.0000
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123W 標準 SOD-123FA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 50 v 950 mv @ 1 a 50 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 20pf @ 4V、1MHz
MBR3030CTTU Fairchild Semiconductor MBR3030CTU -
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
DFB2505 Fairchild Semiconductor DFB2505 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、TS-6p DFB25 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 199 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 50 V 25 a 単相 50 v
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1N4745ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4745 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,193 5 µA @ 12.2 v 16 v 16オーム
MBR1560CT Fairchild Semiconductor MBR1560CT 1.0000
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 15a 900 mV @ 15 a 1 MA @ 60 v -65°C〜150°C
GBPC1204W Fairchild Semiconductor GBPC1204W 2.4800
RFQ
 ECAD 626 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ear99 8541.10.0080 122 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 400 V 12 a 単相 400 V
1N4746ATR Fairchild Semiconductor 1N4746ATR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
1N5236B Fairchild Semiconductor 1N5236B 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 500 MW - ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
1N4739ATR Fairchild Semiconductor 1N4739ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,053 10 µA @ 7 V 9.1 v 5オーム
DF005M Fairchild Semiconductor DF005M 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） 標準 DFM ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,296 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 50 V 1 a 単相 50 v
GBPC12005 Fairchild Semiconductor GBPC12005 -
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 50 V 12 a 単相 50 v
GBPC1508 Fairchild Semiconductor GBPC1508 2.5700
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 800 V 15 a 単相 800 V
GBPC2510W Fairchild Semiconductor GBPC2510W -
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 1 V 25 a 単相 1 kV
EGP20K Fairchild Semiconductor EGP20K 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V、1MHz
MM3Z6V2C Fairchild Semiconductor MM3Z6V2C 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 2.7 µA @ 4 V 6.2 v 9オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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