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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
S1J Fairchild Semiconductor S1J 1.0000
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 DO-214AC、SMA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 1.5 µs 5 µA @ 600 v -50°C〜150°C 1a -
FLZ8V2A Fairchild Semiconductor flz8v2a 0.0200
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 7,870 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 5 V 7.7 v 6.6オーム
BZX84C16 Fairchild Semiconductor BZX84C16 -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.2 v 16 v 40オーム
1N4148WT Fairchild Semiconductor 1N4148WT 0.0300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 1N4148 標準 ダウンロード ear99 8541.10.0070 11,539 4 ns 125ma 2PF @ 0V、1MHz
MMBZ5255B Fairchild Semiconductor MMBZ5255B 0.0200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 28 v 44オーム
MM3Z12VB Fairchild Semiconductor MM3Z12VB 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,017 1 V @ 10 mA 900 NA @ 8 V 12 v 23オーム
GBPC35005 Fairchild Semiconductor GBPC35005 2.6000
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 50 V 35 a 単相 50 v
MMBD1501 Fairchild Semiconductor MMBD1501 0.0700
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,960 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 180 v 150°C （最大） 200mA 4PF @ 0V、1MHz
FLZ3V0B Fairchild Semiconductor FLZ3V0B -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 - ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 35 µA @ 1 V 3.1 v 35オーム
EGP30K Fairchild Semiconductor EGP30K 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 3 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 75pf @ 4V、1MHz
MM5Z33V Fairchild Semiconductor MM5Z33V -
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.06％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 23.2 v 33 v 80オーム
MMSD3070 Fairchild Semiconductor MMSD3070 1.0000
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 標準 SOD-123 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 175 v 150°C （最大） 200mA 5PF @ 0V、1MHz
SB5100 Fairchild Semiconductor SB5100 0.5600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー DO-2011 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 790 mV @ 5 a 500 µA @ 100 V -50°C〜150°C 5a -
BZX84C12 Fairchild Semiconductor BZX84C12 -
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5.42％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX84C12-600039 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 10オーム
1N5261B Fairchild Semiconductor 1N5261B 1.8600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
1N957B Fairchild Semiconductor 1N957B 2.9800
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 101 150 µA @ 5.2 v 6.8 v 4.5オーム
MMSZ5252B Fairchild Semiconductor MMSZ5252B 0.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
SS35 Fairchild Semiconductor SS35 1.0000
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc ショットキー smc（do-214ab） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 50 v 750 mV @ 3 a 500 µA @ 50 V -55°C〜150°C 3a -
SB350 Fairchild Semiconductor SB350 0.1200
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA ショットキー DO-2011 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,954 高速回復= <500ns 50 v 680 mV @ 3 a 500 µA @ 50 V -50°C〜150°C 3a -
S3D Fairchild Semiconductor S3D -
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc S3D 標準 smc（do-214ab） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 3a 60pf @ 4V、1MHz
FLZ12VB Fairchild Semiconductor FLZ12VB 0.0200
RFQ
 ECAD 1854年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 11.7 v 9.5オーム
DFB2010 Fairchild Semiconductor DFB2010 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、TS-6p 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 240 1.1 V @ 20 a 10 µA @ 50 V 20 a 単相 100 V
1N971BTR Fairchild Semiconductor 1N971BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 20.6 v 27 v 41オーム
1N5352BRLG Fairchild Semiconductor 1N5352BRLG -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して T-18 、軸 5 W 軸 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 1 a 1 µA @ 11.5 v 15 V 2.5オーム
1N958B Fairchild Semiconductor 1N958B 2.0800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 145 75 µA @ 5.7 v 7.5 v 5.5オーム
BZX55C4V7 Fairchild Semiconductor BZX55C4V7 0.0400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 500 NA @ 1 V 4.7 v 60オーム
US2BA Fairchild Semiconductor US2BA 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,353 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.5a 50pf @ 4V、1MHz
1N5259B Fairchild Semiconductor 1N5259B -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-1N5259B-600039 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 30 V 39 v 80オーム
FLZ27VB Fairchild Semiconductor FLZ27VB 0.0200
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 21 v 25.6 v 38オーム
BZX55C3V6 Fairchild Semiconductor BZX55C3V6 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 2 µA @ 1 V 3.6 v 85オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

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