画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS28 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mV @ 2 a | 400 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MM3Z39VB | 1.0000 | ![]() | 6928 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 122オーム | |||||||||||||||||||
![]() | EGP10F | 0.1300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-EGP10F-600039 | 2,332 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | flz6v2b | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 3.3 µA @ 3 V | 6.1 v | 8.5オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5241BTR | 0.0200 | ![]() | 392 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N746ATR | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5996B | 2.0000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 8オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MMBD701 | 0.0600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | TO-236-3 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 280 MW | 1PF @ 20V、1MHz | Schottky-シングル | 70V | - | ||||||||||||||||||
![]() | RGF1K | 0.1200 | ![]() | 6089 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RGF1 | 標準 | sma(do-214ac) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | bav19 | 0.0200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 120 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N5255B | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±0.5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5255 | 500 MW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44オーム | |||||||||||||||
![]() | RHRA1560cc | 2.6100 | ![]() | 48 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3pn | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2.1 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | FES16ATR | 1.0000 | ![]() | 9743 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | 170pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | DF02S1 | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,033 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 200 V | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | flz5v1a | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 190 na @ 1.5 v | 4.9 v | 17オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4748ATR | 0.0300 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736A-T50A | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4736 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | flz30va | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 23 v | 27.7 v | 46オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V7 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 MA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||||
MMSZ5245B | - | ![]() | 5050 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 13オーム | ||||||||||||||||
![]() | flz5v1b | - | ![]() | 3154 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 190 na @ 1.5 v | 5.1 v | 17オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 1N4148 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 4 ns | -55°C〜150°C | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5395 | - | ![]() | 4623 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.4 V @ 1.5 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N5258B | 2.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | KBU8K | 0.5400 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5233B-FS | 0.0200 | ![]() | 97 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | FFB05U120STM | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 5 a | 100 ns | 5 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C20-T50A | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C20 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||
![]() | FDLL914 | 0.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz |
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