画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFP06U20DNTU | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | ISL9R18120G2 | 1.0000 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 18 a | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 18a | - | |||||||||||||
![]() | flz20va | 1.0000 | ![]() | 8727 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 15 V | 18.5 v | 23.5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4753A-T50A | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,366 | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V7C | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 75オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N914B | 0.0300 | ![]() | 140 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | flz9v1c | 1.0000 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 27,500 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 9.1 v | 6.6オーム | ||||||||||||||
![]() | MMBD1202 | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD12 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 25 Na @ 100 V | 150°C (最大) | 200mA | - | |||||||||
![]() | FES10G | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 10 a | 30 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 10a | 140pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | S2K | - | ![]() | 4949 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,185 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5994B | 2.0000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | FFPF05U60DNTU | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 5a | 2.3 V @ 5 a | 80 ns | 2.5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZX85C9V1 | 0.0300 | ![]() | 67 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C9 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.8 v | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | FFH50US60S | 1.0000 | ![]() | 8423 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.54 V @ 50 a | 124 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 50a | - | |||||||||||||
![]() | MM5Z51V | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 200 MW | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-MM5Z51V-600039 | 1 | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N754A_NL | 0.0200 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N6002B | 2.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5231BTR | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55C6V8 | 0.0600 | ![]() | 209 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 3 V | 6.8 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | RGP10D | 0.0600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 4,915 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N748ATR | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 7,503 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | ffpf06up20stu | 0.6100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 6 a | 31 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||||||
![]() | rurd660s | 1.0000 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 雪崩 | TO-252 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 6 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | BZX84C3 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BZX84C3V9-600039 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR1545CT | 1.0000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N6017B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||||
MMSZ5245 | 0.0400 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||
![]() | MM3Z75VC | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,340 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 52.5 v | 75 v | 240オーム | |||||||||||||||
![]() | flz10vc | 1.0000 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 110 na @ 7 v | 10.1 v | 6.6オーム | ||||||||||||||
![]() | FFAF40U60DNTU | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 40a | 2.1 V @ 40 a | 110 ns | 20 µA @ 600 v | -65°C〜150°C |
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