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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
MM5Z30V Fairchild Semiconductor MM5Z30V 1.0000
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
MMBZ5233B-FS Fairchild Semiconductor MMBZ5233B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 3.5 v 6 v 7オーム
BZX55C36 Fairchild Semiconductor BZX55C36 0.0300
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 9,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 27 V 36 v 80オーム
FFSPF0665A Fairchild Semiconductor FFSPF0665A -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2FS - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FFSPF0665A ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.75 V @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55°C〜175°C 6a 361pf @ 1V 、100kHz
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 94 50 µA @ 6.2 v 8.2 v 6.5オーム
KBU8D Fairchild Semiconductor KBU8D -
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 a 10 µA @ 200 v 8 a 単相 200 v
1N4734A Fairchild Semiconductor 1N4734a 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 10 µA @ 2 V 5.6 v 5オーム
FLZ15VC Fairchild Semiconductor FLZ15VC 1.0000
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 11 v 14.7 v 13.3オーム
MMSZ5245B Fairchild Semiconductor MMSZ5245B -
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 11 v 15 V 13オーム
FDLL914 Fairchild Semiconductor FDLL914 0.0300
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ear99 8542.39.0001 11,539 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V 175°C （最大） 200mA 4PF @ 0V、1MHz
ES1J Fairchild Semiconductor ES1J -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA ES1 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µA @ 600 v -55°C〜150°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
MM5Z3V6 Fairchild Semiconductor MM5Z3v6 1.0000
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MM5Z3V6-600039 1
BZX85C3V3 Fairchild Semiconductor BZX85C3V3 -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX85C3V3-600039 1 1.2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
1N958 Fairchild Semiconductor 1N958 0.0200
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±20％ 175°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 75 µA @ 4.8 v 7.5 v 5.5オーム
1N4148WS Fairchild Semiconductor 1N4148WS -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1N4148 標準 SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 4 ns -55°C〜150°C 150ma 2PF @ 0V、1MHz
1N5235B Fairchild Semiconductor 1N5235B 0.0200
RFQ
 ECAD 561 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
FFPF15U20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF15U20DNTU 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 15a 1.2 V @ 15 a 40 ns 15 µa @ 200 v -65°C〜150°C
MBR4035PT Fairchild Semiconductor MBR4035PT 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 ショットキー to-3p ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 40a 700 mV @ 20 a 1 MA @ 35 v -65°C〜150°C
MM3Z20VB Fairchild Semiconductor MM3Z20VB -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 14 V 20 v 51オーム
BZX55C33 Fairchild Semiconductor BZX55C33 0.0600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 24 V 33 v 80オーム
ISL9K3060G3 Fairchild Semiconductor ISL9K3060G3 1.6300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 雪崩 TO-247 ダウンロード ear99 8541.10.0070 184 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 30a 2.4 V @ 30 a 45 ns 100 µA @ 600 V -55°C〜175°C
BZX55C5V6 Fairchild Semiconductor BZX55C5V6 0.0400
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 1 V 5.6 v 25オーム
MM5Z3V9 Fairchild Semiconductor MM5Z3v9 0.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F 200 MW SOD-523F - 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-MM5Z3V9-600039 1 3 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
GF1B Fairchild Semiconductor GF1B -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 100 V 1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
1N916 Fairchild Semiconductor 1N916 1.0000
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 2PF @ 0V、1MHz
MM3Z3V3B Fairchild Semiconductor MM3Z3V3B 1.0000
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F MM3Z3V3 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 4.5 µA @ 1 V 3.3 v 89オーム
MM5Z11V Fairchild Semiconductor MM5Z11V -
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z1 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 100 Na @ 8 V 11 v 20オーム
1N5229B Fairchild Semiconductor 1N5229B 0.0300
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜200°C 穴を通して 500 MW ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
1N746A Fairchild Semiconductor 1N746A 1.9200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
MMSZ5250B Fairchild Semiconductor MMSZ5250B -
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 15 V 20 v 17オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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