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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0.0200
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
MMSD459A Fairchild Semiconductor MMSD459A -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 MMSD45 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 150°C （最大） - -
BZX85C3V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C3V3-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.06％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
1N5229BTR Fairchild Semiconductor 1N5229btr 0.0300
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 500 MW ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
1N4746A_NL Fairchild Semiconductor 1N4746A_NL 0.0400
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
MMSZ4702 Fairchild Semiconductor MMSZ4702 0.0300
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MMSZ4702-600039 ear99 8541.10.0080 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.4 v 15 V
MMBZ5244B Fairchild Semiconductor MMBZ5244B -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 10 V 14 v 15オーム
KBU6M Fairchild Semiconductor KBU6M -
RFQ
 ECAD 3266 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 10 µA @ 1 V 6 a 単相 1 kV
1N5235B Fairchild Semiconductor 1N5235B 0.0200
RFQ
 ECAD 561 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
MM3Z6V2B Fairchild Semiconductor MM3Z6V2B 0.0300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 2.7 µA @ 4 V 6.2 v 9オーム
FFP04H60STU Fairchild Semiconductor FFP04H60STU 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.1 V @ 4 a 45 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜150°C 4a -
GBU8KS Fairchild Semiconductor gbu8ks 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 365 1 V @ 8 a 5 µA @ 800 V 8 a 単相 800 V
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0.0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 na @ 12.5 v 18 v 20オーム
BAW62 Fairchild Semiconductor BAW62 0.0200
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAW62 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 75 v 1 V @ 100 MA 4 ns 5 µA @ 75 V 175°C （最大） 300mA 2PF @ 0V、1MHz
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4751 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22.8 v 30 V 40オーム
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0.0900
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SS24 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 11 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 2 a 400 µA @ 40 V -65°C〜125°C 2a -
MMBZ5248B Fairchild Semiconductor MMBZ5248B 0.0200
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 14 V 18 v 21オーム
FYD0504SATM Fairchild Semiconductor FYD0504SATM -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 FYD05 ショットキー d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 5 a 1 MA @ 40 V -65°C〜150°C 5a -
MMSZ5246B Fairchild Semiconductor MMSZ5246B 1.0000
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 12 v 16 v 17オーム
MMSZ5236B Fairchild Semiconductor MMSZ5236B 0.0200
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 5オーム
MM5Z36V Fairchild Semiconductor MM5Z36V 1.0000
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z3 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 25.2 v 36 v 90オーム
BZX84C27 Fairchild Semiconductor BZX84C27 0.0200
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 18.9 v 27 v 80オーム
BZX85C5V6 Fairchild Semiconductor BZX85C5V6 0.0300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C5 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 2 V 5.6 v 7オーム
BZX85C4V7 Fairchild Semiconductor BZX85C4V7 0.0300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C4 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 13オーム
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
MMSZ5226B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5226B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
BZX85C24 Fairchild Semiconductor BZX85C24 0.0300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C24 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 18 V 24 v 25オーム
1N5402 Fairchild Semiconductor 1N5402 -
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 1N5402 標準 DO-2011 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 200 v 1.2 V @ 3 a 1.5 µs 200 Na @ 200 V -50°C〜175°C 3a -
DF01M Fairchild Semiconductor DF01M 0.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） 標準 DFM ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,151 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 100 V 1 a 単相 100 V
EGP20D Fairchild Semiconductor EGP20D 1.0000
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 950 mv @ 2 a 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 2a 70pf @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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