SIC
close

ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
KBU8K Fairchild Semiconductor KBU8K 0.5400
RFQ
 ECAD 7963 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 8 a 10 µA @ 800 V 8 a 単相 800 V
FLZ5V1A Fairchild Semiconductor flz5v1a 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 190 na @ 1.5 v 4.9 v 17オーム
1N5258B Fairchild Semiconductor 1N5258B 2.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 162 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 27 V 36 v 70オーム
DF01S1 Fairchild Semiconductor DF01S1 0.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,700 1.1 V @ 1 a 3 µA @ 100 V 1 a 単相 100 V
BZX79C20-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C20-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C20 500 MW DO-35 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
RGP10G Fairchild Semiconductor RGP10G 0.0700
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-RGP10G-600039 4,991 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
MMBZ5233B-FS Fairchild Semiconductor MMBZ5233B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 3.5 v 6 v 7オーム
FFB05U120STM Fairchild Semiconductor FFB05U120STM 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-263-3 標準 d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1200 v 3.5 V @ 5 a 100 ns 5 µA @ 1200 v -65°C〜150°C 5a -
1N4736A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4736A-T50A 0.0300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4736 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,414 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5オーム
1N4748ATR Fairchild Semiconductor 1N4748ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 16.7 v 22 v 23オーム
FLZ30VA Fairchild Semiconductor flz30va 0.0200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 23 v 27.7 v 46オーム
BZX79C4V7 Fairchild Semiconductor BZX79C4V7 0.0300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 MA 3 µA @ 2 V 4.7 v 80オーム
BZX85C3V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C3V3-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.06％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
FLZ15VC Fairchild Semiconductor FLZ15VC 1.0000
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 11 v 14.7 v 13.3オーム
BZX55C3V0 Fairchild Semiconductor BZX55C3V0 0.0200
RFQ
 ECAD 4234 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 7,295 1.3 V @ 100 MA 4 µA @ 1 V 3 v 85オーム
MM3Z16VC Fairchild Semiconductor MM3Z16VC -
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 フェアチャイルド半導体 c バルク アクティブ ±5％ 150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MM3Z16VC-600039 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 11.2 v 16 v 37オーム
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0.0200
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
1N5249B_NL Fairchild Semiconductor 1N5249B_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
1N5251B Fairchild Semiconductor 1N5251B 0.0300
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 900 mV @ 200 mA 100 Na @ 17 V 22 v 29オーム
1N5380BG Fairchild Semiconductor 1N5380bg -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して T-18 、軸 5 W 軸 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 91.2 v 120 v 170オーム
FFP08D60L2 Fairchild Semiconductor FFP08D60L2 -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 600 V 3.6 V @ 8 a 25 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 8a -
BZX55C12 Fairchild Semiconductor BZX55C12 0.0600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 na @ 9 v 12 v 20オーム
BAT43XV2 Fairchild Semiconductor bat43xv2 0.0300
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 ショットキー SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,830 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 500 NA @ 25 V 125°C 200mA 7PF @ 1V、1MHz
BZX85C30 Fairchild Semiconductor BZX85C30 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C30 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 22 V 30 V 30オーム
FLZ13VA Fairchild Semiconductor flz13va 0.0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 16,705 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 10 V 12.5 v 11.4オーム
1N459-T50R Fairchild Semiconductor 1N459-T50R 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0070 10,000 標準回復> 500ns 200 v 1 V @ 100 MA 25 Na @ 175 v 175°C （最大） 500mA 6PF @ 0V、1MHz
MBRS140 Fairchild Semiconductor MBRS140 -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB MBRS140 ショットキー SMB （DO-214AA） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 1 a 1 MA @ 40 V -65°C〜125°C 1a -
EGP20B Fairchild Semiconductor EGP20B 0.2400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,348 高速回復= <500ns 100 V 950 mv @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 2a 70pf @ 4V、1MHz
DFB20100F162 Fairchild Semiconductor DFB20100F162 1.5700
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、TS-6p 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 207 1.1 V @ 20 a 10 µA @ 1 V 20 a 単相 1 kV
KBU6A Fairchild Semiconductor Kbu6a 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 287 1 V @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 a 単相 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます