画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF4003 | 0.1000 | ![]() | 104 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,950 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | KBU6K | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | S1KFP | 0.0700 | ![]() | 7976 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | S1K | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1.2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.2a | 18pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | Bay72tr | 0.0300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 8,663 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||
MMSZ5239B | 1.0000 | ![]() | 7678 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | kbu6d | 0.5400 | ![]() | 5011 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 425 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 200 v | 6 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | 1N458A | 2.0000 | ![]() | 292 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 8,535 | 標準回復> 500ns | 150 v | 1 V @ 100 MA | 25 µA @ 125 V | 175°C (最大) | 500mA | - | ||||||||||||||||
![]() | flz6v2b | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 3.3 µA @ 3 V | 6.1 v | 8.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3 | 0.0200 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 9,160 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | 1N970B | 1.8400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 33オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX84C30 | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C30 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4372a | 2.7500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.5 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | ||||||||||||||||
![]() | mm3z8v2c | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,586 | 1 V @ 10 mA | 630 NA @ 5 V | 8.2 v | 14オーム | |||||||||||||||||
![]() | flz30va | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 23 v | 27.7 v | 46オーム | ||||||||||||||||
![]() | FES16ATR | 1.0000 | ![]() | 9743 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 16a | 170pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | RGP10A | 0.0600 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-RGP10A-600039 | 5,362 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N963BTR | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | bav21tr | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | bav21 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | Rurp820cc | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 雪崩 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 8a | 975 mV @ 8 a | 13 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | FFPF10U20DNTU | 0.2500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.2 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBRP1545NTU | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 570 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 800 mV @ 15 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | ISL9K860p3 | - | ![]() | 8630 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a | 2.4 V @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | ISL9K1560G3 | 1.3300 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-ISL9K1560G3-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20G | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,158 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | bat42xv2 | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BAT42 | ショットキー | SOD-523F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 7PF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | FFB20UP20DN-SB82195 | 0.7700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 800 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G | 0.0500 | ![]() | 186 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | DO-214AC、SMA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 6,217 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | RGP10K | 0.0600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-RGP10K-600039 | 4,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | FLZ10VB | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 110 na @ 7 v | 9.7 v | 6.6オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N916B | 0.0300 | ![]() | 259 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz |
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