画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBP10M | 0.2400 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 404 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 1.5 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | MM5Z56V | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | - | 0000.00.0000 | 1 | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||||||||||
![]() | SS12FP | 0.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | ショットキー | SOD-123HE | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | flz30va | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 23 v | 27.7 v | 46オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5258B | 2.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | ||||||||||||||||
![]() | rurg1520cc_nl | - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 雪崩 | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | MBR1535CT | 1.0000 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | FFPF15U20DNTU | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.2 V @ 15 a | 40 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | 1N5229btr | 0.0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAW62 | 0.0200 | ![]() | 247 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAW62 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°C (最大) | 300mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5229B | 0.0300 | ![]() | 233 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N961BTR | 0.0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 8.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX55C5V1 | 0.0400 | ![]() | 140 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N966B | 2.0200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 149 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N6007B | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 48オーム | ||||||||||||||||
![]() | FLZ16VC | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 12 v | 16.1 v | 15.2オーム | ||||||||||||||||
![]() | mm3z8v2c | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,586 | 1 V @ 10 mA | 630 NA @ 5 V | 8.2 v | 14オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4746A_NL | 0.0400 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | SS33 | 0.2200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,350 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | KBU4M | 1.4800 | ![]() | 7508 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2156-KBU4M-FS | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC25005 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 117 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 25 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | MMBZ5253B | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 756 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | 3N250 | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | bav19 | 0.0200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 120 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MM5Z3V3 | 1.0000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6.06% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | FFA20U120DNTU | 2.1000 | ![]() | 572 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 3.5 V @ 20 a | 120 ns | 20 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | BZX79C16 | 0.0200 | ![]() | 94 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX79C39 | 0.0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMBZ5221B | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | bav99t | - | ![]() | 3075 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-523 | bav99 | 標準 | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 85 v | 75ma | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2 µA @ 75 V | 125°C (最大) |
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