画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZD17C75P | 0.2625 | ![]() | 2047 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C75PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | SF1608G | 0.6634 | ![]() | 7642 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1608 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 16a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZD27C13P | 0.2753 | ![]() | 2991 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.42% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C13PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13.25 v | 10オーム | |||||||||||||
BZD27C39P R3G | - | ![]() | 1698 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | TSZL52C27-F0 RWG | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSZL52C27-F0RWGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | SF35GHA0G | - | ![]() | 6209 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF35 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZT52C27-G RHG | 0.0445 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR1050 C0G | - | ![]() | 1627 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR1050 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 50 v | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
S2BA R3G | 0.4900 | ![]() | 350 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S2B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | HS1MH | 0.0827 | ![]() | 1696 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1mhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SF37G B0G | - | ![]() | 4726 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF37 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ZM4752A L0G | 0.0830 | ![]() | 5889 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4752 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||
BZD27C8V2P MHG | - | ![]() | 7240 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 v | 2オーム | ||||||||||||||
1PGSMA4761 R3G | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4761 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55C6V8 | 0.0282 | ![]() | 2662 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55C6V8TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 3 V | 6.8 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | MUR360S R7G | - | ![]() | 1048 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR360 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
BZD27C62P R3G | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | UDZS33B R9G | 0.0354 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | UDZS33 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 45 Na @ 25 V | 33 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | TSPB20U80S S2G | - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TSPB20 | ショットキー | SMPC4.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 640 mV @ 20 a | 300 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | SR20100 | - | ![]() | 4514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | SR20100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SF41GH | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF41 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF41GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
US1KH | 0.0827 | ![]() | 9352 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1K | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
SS29L rhg | - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS29 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | SRAF520 C0G | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF520 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 5a | - | ||||||||||||
S1KL M2G | - | ![]() | 3911 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1K | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
1SMA160Z | 0.1229 | ![]() | 4286 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA160 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 1100オーム | |||||||||||||||
![]() | S1GM RSG | 0.1404 | ![]() | 5562 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | S1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 780 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZD27C30ph | 0.2933 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.67% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C30PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 v | 30 V | 15オーム | |||||||||||||
![]() | SF46GH | 0.2862 | ![]() | 6953 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF46 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ABS6 REG | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | ABS6 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 mV @ 400 Ma | 10 µA @ 600 V | 1 a | 単相 | 600 V |
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