画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRT14H | 0.0627 | ![]() | 8353 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT14 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | bzt52c3v6 rhg | 0.0412 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 4.5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||
GBLA005HD2G | - | ![]() | 6808 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBLA005 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | mur4l60h | 0.2907 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | mur4l60 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
ES2AA M2G | - | ![]() | 4171 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES2A | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55C5V1 L1G | - | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | HER108G A0G | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER108 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBR10100CT | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1010 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
bzt52b9v1-g rhg | 0.0461 | ![]() | 6229 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | TSI20H120CW | 2.7100 | ![]() | 879 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | TSI20 | ショットキー | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 10a | 620 mv @ 10 a | 200 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SF15GHA0G | - | ![]() | 1429 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF15 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SR1660 | - | ![]() | 4761 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | SR1660 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 16a | 700 mV @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | HERF1608GH | 0.7608 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HERF1608GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1000 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SF31GH | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF31GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ES3DV V7G | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 200 v | 20 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MUR315S R7 | - | ![]() | 6972 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MUR315SR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
SS23Lラグ | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS23 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | BZT52B68S RRG | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5956 R5G | - | ![]() | 6290 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1PGSMB5956 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 152 v | 200 v | 1200オーム | ||||||||||||||
![]() | HS5G M6G | - | ![]() | 1868年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS5G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
rs1klhmtg | - | ![]() | 9359 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rs1k | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 2m68zh | 0.1667 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M68 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 75オーム | ||||||||||||||
BZD27C22PHRHG | - | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22.05 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | GPAS1007 MNG | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GPAS1007 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRS1090CT MNG | - | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1090 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBR20150CT | 1.3600 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20150 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.23 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | FR103G R1G | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | FR103 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD17C12P M2G | - | ![]() | 9802 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9.1 v | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||
BZD27C51P R3G | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | S15MCHV7G | 0.5203 | ![]() | 2541 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S15m | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 15 a | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 15a | 93pf @ 4V、1MHz |
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