画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR505H | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR505HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | AZ23C5V1 | 0.0786 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C5V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 0.8 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | SRAF820 C0G | - | ![]() | 4242 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF820 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 8 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | SR506 B0G | - | ![]() | 8072 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR506 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | HER1606PT C0G | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | HER1606 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1N5238B | 0.0271 | ![]() | 5421 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5238 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5238btr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | heraf806g | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-heraf806g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRS10H100CT | 0.6237 | ![]() | 1609 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS10 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS10H100CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | DBL159G | 0.2700 | ![]() | 8301 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL159 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.25 V @ 1.5 a | 2 µA @ 1400 v | 1.5 a | 単相 | 1.4 kV | ||||||||||||||
![]() | SK29A | - | ![]() | 7290 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK29ATR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
BZD27C220P MQG | - | ![]() | 7241 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.66% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220.5 v | 900オーム | |||||||||||||||
![]() | UF1A B0G | - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1a | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TS15P05GHC2G | - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS15P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 600 V | 15 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | puup6bh | 1.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 940 mV @ 6 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 6a | 96pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BZD27C130PHM2G | - | ![]() | 3971 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 132.5 v | 300オーム | |||||||||||||||
![]() | SF64GH | 0.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF64 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | HER101G A0G | - | ![]() | 1828年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER101 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRAD1045DH | 0.9400 | ![]() | 1099 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD1045 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 700 mV @ 5 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C11 | 0.0287 | ![]() | 7043 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1M180Z B0G | - | ![]() | 9403 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M180 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55B30 | 0.0301 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | AZ23C3V0 | 0.0786 | ![]() | 3515 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-az23c3v0tr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | AZ23C15 | 0.0786 | ![]() | 7050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C15TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | ES3BH | - | ![]() | 1224 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3BHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
BZD17C43Pラグ | - | ![]() | 4462 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.97% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | |||||||||||||||
![]() | SK35B | - | ![]() | 2609 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK35BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | 1SS133M R0G | 0.1300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ag | 1SS133 | 標準 | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 90 v | 1.2 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 175°C (最大) | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SK83C R7G | - | ![]() | 3784 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK83 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||||
SS210L RFG | - | ![]() | 8924 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS210 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
rsfkl rqg | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfkl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz |
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