画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SFAS801G MNG | - | ![]() | 9810 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFAS801 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | puad8b | 0.8600 | ![]() | 1745 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | Thindpak | - | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 8 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 8a | 101pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BZD27C120P RFG | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120.5 v | 300オーム | |||||||||||
![]() | S1MB R5G | - | ![]() | 1277 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S1MB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZY55C8V2 RYG | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||
![]() | 6A10GH | - | ![]() | 2303 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 標準 | R-6 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-6A10GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SFA802G C0G | - | ![]() | 7377 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA802 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||
hsjlwh | 0.0906 | ![]() | 8013 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hsjlwhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 800 Ma | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 800mA | 5PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
RS1JL MHG | - | ![]() | 1050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 800 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4746A B0G | - | ![]() | 1847 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4746 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 35オーム | |||||||||||
![]() | S3K M6G | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | SK52CHM6G | - | ![]() | 2396 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK52 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||
![]() | HS2JFL | 0.0920 | ![]() | 1349 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs2jfltr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | uf1ah | - | ![]() | 9540 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-uf1ahtr | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | ||||||||
TSN525M60 S3G | 1.0331 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powerldfn | TSN525 | ショットキー | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mv @ 25 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||
![]() | 1N4756AHA0G | - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4756 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||
BZD27C120Pラグ | 0.2888 | ![]() | 9440 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120.5 v | 300オーム | |||||||||||
SS19LHR3G | 0.2790 | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS19 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | AZ23C5V1 RFG | 0.0786 | ![]() | 6168 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 800 mV | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||
![]() | HS3M R7 | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS3MR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | TSP10H60S S1G | 1.3800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TSP10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 640 mV @ 10 a | 150 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||
S1ML | 0.0534 | ![]() | 6312 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S1MlSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1.2 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.2a | - | |||||||||||
![]() | MUR315S R7G | - | ![]() | 7008 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR315 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||
BZD17C100P MHG | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||
![]() | SR203 | 0.1336 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR203TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 2 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||||||||
![]() | 2m27zha0g | - | ![]() | 9373 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2m27 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 18オーム | |||||||||||
BZD27C33P RHG | - | ![]() | 3379 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | bzt52b3v3 rhg | 0.2700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||
![]() | BZT52B18 | 0.0412 | ![]() | 6752 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||
![]() | HER208G B0G | - | ![]() | 6438 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | HER208 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz |
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