画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | heraf806g c0g | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | heraf806 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ESH3B M6G | - | ![]() | 5825 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ESH3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBR30L100CTH | 1.5213 | ![]() | 6557 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR30L100CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 770 mV @ 15 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | SF2001GHC0G | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF2001 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
rs1ml mtg | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rs1m | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | HER105G R1G | - | ![]() | 1384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER105 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
ES1AL R3G | - | ![]() | 3748 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SFT13G A1G | - | ![]() | 2109 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT13 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | AZ23C9V1 | 0.0786 | ![]() | 2010年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C9V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRF1560CTH | - | ![]() | 2636 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF1560 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 750 mV @ 7.5 a | 300 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
rsfglhm2g | - | ![]() | 4979 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfgl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BAS40-04 | 0.0581 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAS40-04TR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -65°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | MBR30150pth | 1.8582 | ![]() | 6636 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR30150 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBR30150pth | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 30a | 1.02 V @ 30 a | 500 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
BZD27C24PHMTG | - | ![]() | 3549 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.78% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24.2 v | 15オーム | |||||||||||||||
SS210LHMHG | - | ![]() | 6267 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS210 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
BZD27C33PW | 0.1638 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | SS54ALH | 0.1596 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SS54 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SS54ALHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | 256pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TPAR3G | 0.2997 | ![]() | 9303 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPAR3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TPAR3GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 3 a | 120 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | 58pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SK86C R6G | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK86CR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mv @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | GBU604HD2G | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU604 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
ES1BL | 0.3800 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 | 0.3266 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5354TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3オーム | |||||||||||||||
![]() | BZD17C13PH | 0.2790 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C13PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | TSZL52C3V6 RWG | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | UDZS33B R9G | 0.0354 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | UDZS33 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 45 Na @ 25 V | 33 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | S5J R6G | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S5JR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | RS2JFL | 0.0888 | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RS2JFLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 2 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MUR840 | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MUR840 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | AZ23C3V0 | 0.0786 | ![]() | 3515 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-az23c3v0tr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | SRAF1690 C0G | - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF1690 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 16 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 16a | - |
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