画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | tuau8jh | 0.3207 | ![]() | 7234 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | Tuau8 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuau8jhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 8a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | RS5D-T | 0.2496 | ![]() | 2251 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RS5D-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 5 a | 150 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 57PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | bat54s | 0.0336 | ![]() | 7746 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAT54STR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | SFA806G | - | ![]() | 9702 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFA806G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRAD5200H | 0.7300 | ![]() | 8514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD5200 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 880 mV @ 5 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 78pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | ZM4749A | 0.0830 | ![]() | 2372 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4749 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4749ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||||||||||||
SS26L MTG | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS26 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | 1SMB5949 R5G | - | ![]() | 4660 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5949 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 76 v | 100 V | 250オーム | ||||||||||||
![]() | HER105GH | 0.0980 | ![]() | 4042 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER105GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4448 | 0.0177 | ![]() | 2264 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4448 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4448TR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | SS12LH | 0.2235 | ![]() | 5652 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SS12 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SS12LHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | BAS40-06 | 0.0587 | ![]() | 2215 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAS40-06TR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 40 v | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -65°C〜125°C | |||||||||
![]() | mur190aha0g | - | ![]() | 3141 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | 前回購入します | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MUR190 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 900 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRS3045CTH | 0.9057 | ![]() | 8348 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS3045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS3045CTHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 900 mV @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZX79B4V7 A0G | - | ![]() | 6949 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 2 ma @ 3 v | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | BZX79B9V1 | 0.0305 | ![]() | 6352 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B9V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 6 MA @ 500 mV | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | SRA1090H | - | ![]() | 6284 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRA1090H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | BZX55B18 A0G | - | ![]() | 1589 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||
![]() | ZM4729A | 0.0830 | ![]() | 2755 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4729 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4729ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | udzs10b | 0.0357 | ![]() | 3618 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | udzs10 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-dzs10btr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 180 na @ 7 v | 10 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | heraf807g | - | ![]() | 3972 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-heraf807g | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | S15kch | 0.3192 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 15 a | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 15a | 93pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SFF1003GAH | - | ![]() | 8642 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF1003 | 標準 | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFF1003GAH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 150 v | 10a (dc) | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||
BZT52B6V8-G | 0.0461 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B6V8-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||
BZD27C36PHR3G | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | SF13G | - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF13GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4741G | 0.0627 | ![]() | 6673 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4741 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4741GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | |||||||||||
BZT52C2V4-G RHG | 0.0445 | ![]() | 3325 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | pu3dch | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 930 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 3a | 47pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4748G | 0.0627 | ![]() | 8372 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4748 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4748GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム |
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