画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M160Z A0g | - | ![]() | 4888 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M160 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 650オーム | ||||||||||||||
![]() | 2m11zhb0g | - | ![]() | 5529 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M11 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 4オーム | ||||||||||||||
BZD17C180P RTG | - | ![]() | 3779 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 130 v | 180 v | 450オーム | ||||||||||||||
S1DL MTG | - | ![]() | 8711 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
BZD27C150PHRQG | - | ![]() | 2927 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 147 v | 300オーム | ||||||||||||||
![]() | S3KHR7G | - | ![]() | 1767 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4742A B0G | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4742 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 18.2 v | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||
BZD17C16P MQG | - | ![]() | 1793 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.625% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||||
BZD27C160PHRFG | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | ||||||||||||||
![]() | TSZU52C3V9 | 0.0669 | ![]() | 4771 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.99% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C3V9TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | BZX79B12 | 0.0305 | ![]() | 3885 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B12TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 8 mA @ 100 mV | 12 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | MBRS15150CT | 0.7425 | ![]() | 4733 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS15150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS15150CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 15a | 950 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SRF2090 | - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SRF2090 | ショットキー | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRF2090 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 20a (dc) | 920 mv @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BZS55B4V7 RXG | - | ![]() | 1225 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | BZX55B39 A0G | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | ABS10 reg | 0.6200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 腹筋 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 mV @ 400 Ma | 10 µA @ 1000 v | 800 Ma | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | S10GC R7 | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S10GCR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 10 a | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5363 M6G | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5363M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||
![]() | TS15P03GH | - | ![]() | 5361 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TS15P03GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 200 v | 15 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | KBL603G | - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | 標準 | KBL | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-KBL603G | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 200 v | 6 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | DBL152G | - | ![]() | 7129 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | 標準 | dbl | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-dbl152g | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | UF4001 | - | ![]() | 9618 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF400 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-UF4001TR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | KBU1002G | - | ![]() | 7578 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-KBU1002G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 100 V | 10 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | DBL153G | - | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | 標準 | dbl | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-dbl153g | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 200 v | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | TS20P01GH | - | ![]() | 6131 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TS20P01GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 50 V | 20 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | KBU403G | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-KBU403G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | KBU401G | - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-KBU401G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | TS20P03G | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TS20P03G | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 v | 20 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | GBU801 | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-GBU801 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | DBL103G | - | ![]() | 2366 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | 標準 | dbl | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-dbl103g | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 a | 2 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v |
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