画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C22PWH | 0.5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | MBR1060CT | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MBR106 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
BZD27C7V5P RTG | - | ![]() | 5336 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2オーム | ||||||||||||
1PGSMA4764 | 0.1086 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4764 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||||||
![]() | simlr3g | - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | Simlr3 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | - | - | - | - | |||||||||||||
![]() | 1N4003GHB0G | - | ![]() | 5625 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4003 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SF44G A0G | - | ![]() | 4053 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF44 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||
S1DLW RVG | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | S1D | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BZS55B36 RXG | - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | SF14G A0G | - | ![]() | 2340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF14 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
HS1K R3G | - | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | HS1K | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | ES2A M4G | - | ![]() | 9401 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | S12KC R6 | - | ![]() | 1538 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S12KCR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 12 a | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SK85C R7 | - | ![]() | 8853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK85CR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mv @ 8 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SFA1006GHC0G | - | ![]() | 1999年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA1006 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | TSF40L120C | 1.3038 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF40 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 20a | 850 mv @ 20 a | 250 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZD17C180P | 0.3540 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C180PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 130 v | 180 v | 450オーム | |||||||||||
BZD27C130PHMHG | - | ![]() | 7668 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 132.5 v | 300オーム | ||||||||||||
![]() | BZX55C8V2 A0G | - | ![]() | 3933 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | BZD27C220P | 0.1260 | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.67% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C220PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 160 v | 220.5 v | 900オーム | |||||||||||
![]() | 1N4750A | 0.1118 | ![]() | 8071 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4750 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||
1PGSMA4757 | 0.1086 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4757 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | SRS20100HMNG | - | ![]() | 5335 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS20100 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 550 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
![]() | 1N4737G A0g | - | ![]() | 7587 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4737 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | UF1AHR0G | - | ![]() | 3347 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1a | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZV55C3V6 L0G | 0.0333 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||
1PGSMA4745 | 0.1086 | ![]() | 1503 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4745 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||
BZD27C8V2P RQG | - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 v | 2オーム | ||||||||||||
![]() | BZT55C12 L0G | 0.0350 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | HERF1007GA | 0.5661 | ![]() | 7671 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1007 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 800 V | 10a | 1.7 V @ 5 a | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C |
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