画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B9V1S | 0.0340 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B9V1STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 450 na @ 6 v | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||
S1GFSH | 0.0590 | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | S1G | 標準 | SOD-128 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT55B6V2 L1G | - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | BZT52B22 | 0.0412 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B22TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||
![]() | BZT52C22S RRG | - | ![]() | 6990 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||
![]() | HS5K R6G | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS5KR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 5 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZD27C130PH | 0.3075 | ![]() | 6985 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.42% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C130PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 132.5 v | 300オーム | |||||||||||
![]() | UGF2007G | - | ![]() | 1858年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-UGF2007G | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 20a (dc) | 1.7 V @ 10 a | 25 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | BZV55C7V5 | 0.0333 | ![]() | 2647 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C7V5TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | MBRAD10150H | 0.9200 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD10150 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 880 mV @ 10 a | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 10a | 165pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 2M20ZHA0G | - | ![]() | 2051 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M20 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 15.2 v | 20 v | 11オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5246B | 0.0271 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5246 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5246BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||
BZD27C150Pラグ | 0.2888 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 147 v | 300オーム | ||||||||||||
![]() | MTZJ2V4SB R0G | 0.0305 | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj2 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 1 V | 2.53 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | RS3B V6G | - | ![]() | 3978 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | RS3B | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | SR1060HC0G | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR1060 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | bav21w-g rhg | 0.2700 | ![]() | 9662 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | bav21 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | uf1jha0g | - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1j | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||
rsfblhmtg | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfbl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | S3D M6 | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3DM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52C51 RHG | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||
![]() | HER307GH | 0.2514 | ![]() | 1561 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER307GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 35pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
1PGSMA4758 | 0.1086 | ![]() | 7030 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4758 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | ||||||||||||
![]() | TSZU52C39 | 0.0669 | ![]() | 2520 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C39TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 29 v | 39 v | 90オーム | |||||||||||
BZT52B22-G RHG | 0.0461 | ![]() | 8833 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | ||||||||||||
BZD17C75P MQG | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | SF13GH | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF13GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | bav103 | 0.0357 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | bav103 | 標準 | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-bav103tr | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 250 v | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 200 v | -65°C〜200°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | UG58G B0G | - | ![]() | 1094 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | UG58 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 5 a | 20 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||
SS210L rhg | - | ![]() | 7723 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS210 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫