画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HS2FA R3G | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | HS2F | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1 V @ 1.5 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT55B39 L0G | 0.0389 | ![]() | 9482 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
es1blhrhg | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
BZT52B11-G RHG | 0.0461 | ![]() | 1693 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4759AHR1G | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4759 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||
![]() | HS2FH | 0.1284 | ![]() | 2474 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HS2FHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5358 R7G | - | ![]() | 5488 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | MTZJ22SB R0G | 0.0305 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ22 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 17 V | 21.18 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | SR210HB0G | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SR210 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | S10JC M6G | - | ![]() | 2158 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S10J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.1 V @ 10 a | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SR103 A0G | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR103 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
BZD27C16PHMHG | - | ![]() | 4704 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16.2 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | BZS55B15 RAG | - | ![]() | 1874年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B15RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||
![]() | S2A | 0.1164 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S2ATR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | hs1jalh | 0.1008 | ![]() | 3077 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1jalhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 13pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5228B A0g | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | 100°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5399GH | 0.0831 | ![]() | 1065 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5399 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | HS5G | 0.2748 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS5G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
s1jlhmhg | - | ![]() | 7486 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ZM4746A | 0.0830 | ![]() | 6718 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4746 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4746ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||
1SMA4762H | 0.0995 | ![]() | 7027 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4762 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5932 | 0.1689 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||||||
![]() | HERF1604GH | 0.7608 | ![]() | 5861 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HERF1604GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 16a | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | uf1mha0g | - | ![]() | 8857 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF1M | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBR15100CT | 0.5404 | ![]() | 1651 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR15100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 920 MV @ 7.5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MMSZ5251B RHG | 0.0433 | ![]() | 3801 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||||
![]() | HER1606G | - | ![]() | 2762 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | HER1606 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
GBL10H | - | ![]() | 1719 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBL10 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 v | 4 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 2m27z b0g | - | ![]() | 4339 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2m27 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 18オーム | ||||||||||||||
![]() | SRT19H | - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | ショットキー | TS-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRT19HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 1 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1a | 28pf @ 4V、1MHz |
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