画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S8MC V7G | 0.9600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8MC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SF11G A0G | - | ![]() | 6480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF11 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | ESH3B R7G | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ESH3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBR15100cth | - | ![]() | 9718 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MBR15100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 920 MV @ 7.5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZT52B12 RHG | 0.2700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 v | 12 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | BZT55B5V6 | 0.0385 | ![]() | 9247 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B5V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | SRS1630 MNG | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS1630 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 16a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
![]() | 1N4759A R1G | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4759 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||
![]() | S4D R6 | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S4DR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4003GHR0G | - | ![]() | 3860 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4003 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
US1J | 0.0853 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SR1203 | 0.8267 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR1203TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 12 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | SRA2060HC0G | - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SRA2060 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 20 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | SRF1030HC0G | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SRF1030 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
![]() | BZX79C13 | 0.0287 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | 2M100Z B0G | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M100 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 76 v | 100 V | 175オーム | ||||||||||||
BZD27C68PHM2G | - | ![]() | 1775 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5400G R0G | - | ![]() | 5530 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5400 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZS55C6V8 RXG | 0.0340 | ![]() | 8858 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 3 V | 6.8 v | 8オーム | |||||||||||
BZD27C11PHRVG | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | 1M130ZHR1G | - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M130 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 98.8 v | 130 v | 700オーム | ||||||||||||
US1JH | 0.0907 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
SS36LHRHG | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS36 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | 6A40G B0G | - | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A40 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | ES1DFL | 0.0862 | ![]() | 1355 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | 標準 | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES1DFLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT55C39 L0G | 0.0350 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | uf1jhb0g | - | ![]() | 3028 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1j | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX585B10 rkg | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B1 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 180 na @ 7 v | 10 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5367 | 0.3249 | ![]() | 6196 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5367TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | BZT55C36 L0G | 0.0350 | ![]() | 7193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム |
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