画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF5JFC C0G | - | ![]() | 9514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | UF5J | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.8 V @ 5 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT55B75 L0G | 0.0385 | ![]() | 9759 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 170オーム | |||||||||||
SS23L RFG | - | ![]() | 4339 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS23 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | BZS55C33 RXG | 0.0340 | ![]() | 5151 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | udzs18b | 0.0357 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | udzs18 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-dzs18btr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 45 Na @ 13 V | 18 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4753AHB0G | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4753 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | ||||||||||||
![]() | MMBD3004CC RFG | 0.0616 | ![]() | 3027 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD3004 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 350 V | 225MA | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 350 V | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | TPAR3G S1G | 0.4496 | ![]() | 9492 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPAR3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 3 a | 120 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | 58pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | HS5GH | 0.2928 | ![]() | 4327 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HS5GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GP1603 C0G | - | ![]() | 1006 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | GP1603 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 16a | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SR506HA0G | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR506 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | MBR20200PT | 1.5011 | ![]() | 3569 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR20200 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.02 V @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
SS24LHRHG | - | ![]() | 5059 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS24 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
BZD27C100PHR3G | - | ![]() | 1915年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | ||||||||||||
![]() | S5K V7G | 0.9900 | ![]() | 540 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX585B36 RSG | 0.0476 | ![]() | 7067 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B3 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 45 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | HERF1008GAH | 1.3300 | ![]() | 828 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1008 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 5 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 10a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | B0530W | 0.0878 | ![]() | 4311 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | B0530 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-B0530WTR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 430 mv @ 500 Ma | 130 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 500mA | 170pf @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | ES1DF-T | 0.0967 | ![]() | 5713 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | SMAF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES1DF-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
SS310LHRHG | - | ![]() | 4346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS310 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | Bzy55b30 | 0.0413 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55B30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||
![]() | rsfdlh | 0.1815 | ![]() | 5860 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-rsfdlhtr | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SFAF1604G C0G | - | ![]() | 7789 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF1604 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 16a | 130pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 2A02GHB0G | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A02 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | HERF1005GH | 0.6155 | ![]() | 1865年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HERF1005GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 10a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SS39 V6G | - | ![]() | 1861年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS39 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | SRA10100 C0G | - | ![]() | 6867 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | SRA10100 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
S1BLHR3G | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX85C6V2 R0G | 0.0645 | ![]() | 5096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | SRS2020HMNG | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS2020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 20a | 550 mV @ 10 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C |
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