画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | F1T2G A1G | - | ![]() | 4920 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T2 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SFAF807GHC0G | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF807 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
SS13L RVG | 0.3800 | ![]() | 305 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS13 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||
1PGSMA130ZHR3G | - | ![]() | 4436 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA130 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 700オーム | ||||||||||||||
![]() | HS1KLH | 0.2378 | ![]() | 1762 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1klhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZS55B10 RXG | - | ![]() | 2803 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | S4A R6G | - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-s4ar6gtr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ESH1GMH | 0.2790 | ![]() | 2194 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ash1gmhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 18,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 3PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
sglwh | 0.0567 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | - | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-sglWhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 800 Ma | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | HS2K | 0.1101 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | HS2K | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | RS3G R7 | - | ![]() | 8195 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS3G R7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | 2M120ZHA0G | - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M120 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 325オーム | ||||||||||||||
![]() | SF1603G C0G | - | ![]() | 7155 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1603 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 16a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD17C15P MHG | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | bat43w | 0.0548 | ![]() | 4378 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT43 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAT43WTR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | -55°C〜125°C | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
HS1FL RTG | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | HS1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 300 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZS55B3V9 RXG | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | |||||||||||||
![]() | MBRS1050HMNG | - | ![]() | 6332 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1050 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | BZX55B56 | 0.0333 | ![]() | 5164 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B56TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | |||||||||||||
BZD27C6V8Pラグ | - | ![]() | 9565 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX85C13 R0G | 0.0645 | ![]() | 7660 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | FR153G R0G | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | FR153 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | TSF10H45C | 2.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF10 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 480 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZS55B33 RXG | - | ![]() | 4283 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||||
1SMA4754 | 0.0935 | ![]() | 9719 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4754 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55B18 | 0.0301 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | BZV55B4V7 L1G | - | ![]() | 7468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | ES3D R7G | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD27C43PHRHG | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.97% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | KBU601G | - | ![]() | 9636 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-KBU601G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 50 V | 6 a | 単相 | 50 v |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫