画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2A02GHB0G | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A02 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
HS1DL M2G | - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | HS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZV55C5V1 | 0.0333 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C5V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35オーム | |||||||||||
BZD27C160P RHG | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | ||||||||||||
SS13Lラグ | 0.1965 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS13 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BZX85C6V2 R0G | 0.0645 | ![]() | 5096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | |||||||||||
BZT52B7V5-G | 0.0461 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B7V5-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5348 R6G | - | ![]() | 1733 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5348R6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | SS39 V6G | - | ![]() | 1861年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS39 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MBRF2045CT | 0.5661 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF2045 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZX79B62 A0G | - | ![]() | 6684 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 43.4 mA @ 50 mV | 62 v | 215オーム | |||||||||||
![]() | MTZJ36SD | 0.0305 | ![]() | 9515 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj36 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ36SDTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 27 V | 34.89 v | 75オーム | ||||||||||||
HS1K | 0.0757 | ![]() | 1776 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | HS1K | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
BZD17C16P RQG | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.625% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | SRAF10100HC0G | - | ![]() | 6101 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF10100 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | SR1203 R0G | - | ![]() | 3015 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR1203 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 12 a | 500 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
rs1glhmtg | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rs1g | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBRF10100CTH | 0.5176 | ![]() | 7350 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF10100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF10100CTH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZT52C47 | 0.0412 | ![]() | 9009 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 33 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||
![]() | 1N4148 | 0.0173 | ![]() | 7613 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4148 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N4148TR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | SRA1090 C0G | - | ![]() | 1063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SRA1090 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 10 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
ES2HA M2G | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES2H | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
BZD17C68P RFG | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | BAS70-06 RFG | 0.0453 | ![]() | 4929 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜125°C | |||||||||
1PGSMA110Z R3G | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA110 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1PGSMA110ZR3G | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム | |||||||||||
![]() | HER1606pth | 1.4388 | ![]() | 4321 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER1606pth | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
es1jlhmqg | - | ![]() | 6674 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52C39 RHG | 0.0412 | ![]() | 3056 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||
1SMA5943 | 0.0944 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5943 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||
![]() | SFT11G A0G | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT11 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz |
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